Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/20215
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorЯкименко, Юрій Іванович-
dc.contributor.advisorYakimenko, Yuri I.-
dc.contributor.advisorЯкименко, Юрий Иванович-
dc.date.accessioned2017-08-08T08:51:13Z-
dc.date.available2017-08-08T08:51:13Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier2427-п-
dc.identifier.govdoc0111U003244-
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/20215-
dc.language.isoukuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
dc.subjectнанопористий кремнійuk
dc.subjectфотоелектричні перетворювачіuk
dc.titleРозроблення технології отримання та вивчення особливостей застосування пористого і нанопористого кремнію для створення високоефективних наноструктурних фотоелектричних перетворювачівuk
dc.title.alternativeDesign of processing technique reception and research of features application porous and nanoporous silicon for creation highly effective nanostructural photo-electric convertersuk
dc.title.alternativeРазработка технологии получения и исследование особенностей применения пористого и нанопористого кремния для создания высокоэффективных наноструктурных фотоэлектрических преобразователейuk
dc.typeTechnical Reportuk
dc.contributor.degreefacultyНауково-дослідний інститут прикладної електронікиuk
thesis.degree.level-uk
dc.format.page4 с.uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.description.abstractukРозроблено і реалізовано технологію формування нанопористого кремнія. Розроблено базові принципи і критерії конструктивно-технологічних параметрів фотоелектричних перетворювачів комбінованого типу з інверсійним каналом (величина вбудованого позитивного заряду в діелектрику, щільності поверхневих станів на кордоні діелектрик–напівпровідник, глибини електронно-діркового переходу, рівня легування областей бази і еміттера). Досягнуто високих значень коефіцієнту корисної дії (22-24,5%) при величині вбудованого позитивного заряду більш 2,5•10-2 Кл/м2 , щільності поверхневих станів на кордоні діелектрик – напівпровідник менше 1015 еВ-1м-2 та глибині n+ - області 3 мкм. Встановлені залежності електрофізичних, оптичних, фотоелектричних, люмінесцентних, термоелектричних властивостей пористого, нанопористого кремнію і гетероструктур на їхній основі від розмірів нанокристалів і пористості матеріалу. При розмірах нанокристалів 15–18 нм досягнута максимальна інтенсивність фотолюмінесценції і фоточутливості гетеропереходів. Встановлено основні закономірності формування шарів пористого і нанопористого кремнія. Визначено, що стабільний вміст водню в приповерхневій області до 3 мкм забезпечує пасивацію і зниження швидкості поверхневої рекомбінації. Встановлено, що шар пористого кремнію на текстурованій поверхні починає формуватися тільки між пірамідами уздовж основи. При збільшенні часу формування площа покриття пористого кремнію збільшується. Розроблено способи керування антивідбиваючими і фотолюмінесцентними властивостями фотоелектричних перетворювачів.uk
dc.description.abstractenDesigned and implemented technology of nanoporous silicon. A basic principles and criteria of structural and technological parameters of photovoltaic cells combined type of inversion channel (value embedded positive charge in the dielectric, the density of surface states at the insulator-semiconductor boundary, the depth of electron-hole transition doping level domains base and emittera). Reached high values of the coefficient of performance (22-24,5%) at a value of embedded positive charge over 2,5•10-2 Кл/м2, the density of surface states on the border insulator - semiconductor least 1015 еВ-1м-2 and depth n+ - region 3 microns. Dependence electrical, optical, photovoltaic, luminescent, porous thermoelectric properties, nanoporous silicon heterostructures based on them the size of the nanocrystals, and porosity of the material. With dimensions of nanocrystals 15-18 nm reached a maximum intensity of photoluminescence and photoresponse heterojunctions. The basic laws of formation of porous layers and nanoporous silicon. Determined that stable hydrogen content in the surface region to 3 microns provides passivation and lower surface recombination velocity. Found that a layer of porous silicon textured surface begins to form only between the pyramids along the base. By increasing the time of forming the coverage area of porous silicon increases. Control Techniques antyvidbyvayuchymy and photoluminescence properties of photovoltaic cells.uk
dc.description.abstractruРазработан и реализован технологию формирования нанопористого кремния. Разработаны базовые принципы и критерии конструктивно-технологических параметров фотоэлектрических преобразователей комбинированного типа с инверсионным каналом (величина встроенного положительного заряда в диэлектрике, плотности поверхностных состояний на границе диэлектрик-полупроводник, глубины электронно-дырочного перехода, уровня легирования областей базы и емиттера). Достигнуто высоких значений коэффициента полезного действия (22-24,5%) при величине встроенного положительного заряда более 2,5•10-2 Кл/м2, плотности поверхностных состояний на границе диэлектрик - полупроводник менее 1015 еВ-1м-2 и глубине n + - области 3 мкм. Установлены зависимости электрофизических, оптических, фотоэлектрических, люминесцентных, термоэлектрических свойств пористого, нанопористого кремния и гетероструктур на их основе от размеров нанокристаллов и пористости материала. При размерах нанокристаллов 15-18 нм достигнута максимальная интенсивность фотолюминесценции и фоточувствительности гетеропереходов. Установлены основные закономерности формирования слоев пористого и нанопористого кремния. Определено, что стабильный содержание водорода в приповерхностной области до 3 мкм обеспечивает пассивацию и снижение скорости поверхностной рекомбинации. Установлено, что слой пористого кремния на текстурированной поверхности начинает формироваться только между пирамидами вдоль основания. При увеличении времени формирования площадь покрытия пористого кремния увеличивается. Разработаны способы управления антивидбиваючимы и фотолюминесцентные свойства фотоэлектрических преобразователей.uk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
Appears in Collections:Анотовані описи завершених науково-дослідних робіт КПІ ім. Ігоря Сікорського

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2427-п.doc456 kBMicrosoft WordView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.