Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів
Loading...
Date
2022
Authors
Advisor
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Abstract
Під час виготовлення координатних квадрантних p-i-n фотодіодів з високою напругою зворотного зміщення Uзм≥200 В було спостережено наявність систематичного браку виробів по рівню темнового струму одного (рідше кількох) фоточутливого елемента. Після вимірювання вольт-амперних характеристик побачено, що причиною вказаного є пробій p-n-переходу. Встановлено, що сильний вплив на напругу пробою мають кристалографічні дефекти, зокрема дислокації, механічні порушення, нерівні краї окисної плівки вікон для дифузії, нерівномірний дифузійний профіль, локальний тепловий вплив та ін.
Збільшення напруги пробою можливе при збільшенні товщини підкладок, зменшенні концентрації легуючих домішок, чіткому контролю операцій фотолітографії, напилення та приварювання виводів.
Description
Keywords
кремній, фотодіод, дислокація, темновий струм, клин травлення, пробій p-n-переходу, silicon, photodiode, dislocation, dark current, etching wedge, p-n junction breakdown
Citation
Кукурудзяк, М.С. Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів / Кукурудзяк М.С. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2022. – Т. 27, № 3(122). – С. 268299-1-268299-7. – Бібліогр.: 19 назв.