Оценка качества фотоэлектрических преобразователей на структурах с p-n переходом

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСамотовка, В. Л.
dc.contributor.authorСамотовка, В. Л.
dc.contributor.authorSamotovka, V.
dc.date.accessioned2015-03-18T12:04:52Z
dc.date.available2015-03-18T12:04:52Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractenIn this work research results for photovoltaic cells with different efficiencies and fill factors are given. Perfection factors’ expressions are theoretically derived using modified Bessel functions. Bessel functions have arguments that proportional to temperature, p-n junction’s m factor and amplitudes of used harmonic voltages with different frequencies. It is determined that the integral perfection index is the most differential frequency voltage’s value measured when load is less than effective resistance of photovoltaic structure with p-n junction.uk
dc.description.abstractruВ работе представлены результаты исследований кремниевых фотоэлектрических преобразователей с различными значениями коэффициентов полезного действия и факторов заполнения. Приводятся теоретически полученные выражения параметров качества, основанные на применении модифицированных функций Бесселя, аргументы в которых пропорциональны температуре, m-фактору p-n перехода и амплитудным значениям, применяемых разночастотных гармонических напряжений. Приводится интегральный показатель качества, являющийся наибольшим значением напряжения разностной частоты при нагрузках равных эффективному сопротивлению фотоэлектрической структуры с p-n переходом.uk
dc.description.abstractukВ роботі наводяться результати досліджень кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з різними значеннями коефіцієнтів корисної дії та факторів заповнення. Також наводяться теоретичні вирази для параметрів якості, які отримуються з використанням модифікованих функцій Бесселя, аргументи в яких пропорційні температурі, m-фактору p-n перехода та амплітудним значенням, різночастотних гармонічних напруг. Пропонується інтегральний показник якості, який є найбільшим значенням напруги різницевої частоти коли навантаження равні ефективному опору фотоелектричної структури з p-n переходом.uk
dc.format.pagerangeС. 22-25uk
dc.identifier.citationСамотовка В. Л. Оценка качества фотоэлектрических преобразователей на структурах с p-n переходом / В. Л. Самотовка // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 22–25. – Библиогр.: 7 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10985
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectэффективное сопротивлениеru
dc.subjectразностная частотаru
dc.subjectКПДru
dc.subjectмодифицированные функции Бесселяru
dc.subjectфотоэлектрические преобразователиru
dc.subjectефективний опірuk
dc.subjectрізницева частотаuk
dc.subjectККДuk
dc.subjectмодифіковані функції Бесселяuk
dc.subjectфотоелектричні перетворювачіuk
dc.subjecteffective resistanceen
dc.subjectdifferential frequencyen
dc.subjectefficiency factoren
dc.subjectmodified Bessel functionsen
dc.subjectphotovoltaic cellsen
dc.subject.udc621.382uk
dc.titleОценка качества фотоэлектрических преобразователей на структурах с p-n переходомuk
dc.title.alternativeОцінка якості фотоелектричних перетворювачів на структурах з p-n переходомuk
dc.title.alternativeQuality assessment of photovoltaic cells with p-n junctionuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
6.pdf
Розмір:
208.46 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)