Вплив високого тиску та температури на формування кристалів нітриду галію з розчину в розплаві заліза

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТуркевич, Володимир Зіновійович
dc.contributor.authorГладкий, Ілля Олексійович
dc.date.accessioned2023-05-29T10:24:45Z
dc.date.available2023-05-29T10:24:45Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractОб’єкт дослідження – кристали GаN, сплави-розчинники на основі заліза для вирощування монокристалів. Мета роботи – отримання високоякісних монокристалів GaN у АВТ типу «тороїд» методом температурного градієнту. Методи дослідження: SEM, XRD, ІЧ-спектроскопія, та раманівська спектроскопія Було проведено огляд літератури та патентів, що стосуються методів отримання GaN. Були розглянуті сучасні методи отримання кристалів GaN, досліджено вплив параметрів вирощування монокристалів на їх структурну досконалість. На основі відомостей з літературних джерел були визначені технологічні параметри та склад сплаву-розчинника для вирощування монокристалів GaN. Проведено експерименти з вирощування кристалів GaN при температурах 1200, 1400 та 1600 °C протягом 55 хвилин, 14 годин і 17 годин відповідно. Був вивчений вплив температури, тиску, часу кристалізації та складу сплаву-розчинника на структурну досконалість отриманих кристалів за допомогою методів скануючої електронної мікроскопії (SEM), рентгенівської дифрактометрії (XRD), інфрачервоної спектроскопії (ІЧ), оптичної спектроскопії та раманівської спектроскопії. Звіт був підготовлений згідно з умовами договору з Інститутом напівпровідників ім. В.М. Бакуля Національної академії наук України, розташованим за адресою: вул. Автозаводська, 2, Київ 04074.uk
dc.description.abstractotherObject of research: GаN crystals, solvent alloys based on iron for growing single crystals. Purpose: Obtaining high-quality GaN single crystals in AVT type "toroid" by the temperature gradient method. Research methods: SEM, XRD, IR spectroscopy, and Raman spectroscopy. Consequently, we examine contemporary techniques for obtaining GaN crystals and explore how the growth parameters of single crystals impact the structural integrity of GaN crystals. We conducted experiments cultivating GaN crystals at temperatures of 1200°C, 1400°C, and 1600°C for durations of 55 minutes, 14 hours, and 17 hours, respectively. Furthermore, we investigated the effects of temperature, pressure, crystallization time, and solvent alloy composition on the structural perfection of the resulting crystals utilizing SEM, XRD, IR spectroscopy, optical spectroscopy, and Raman spectroscopy methods.uk
dc.format.extent108 с.uk
dc.identifier.citationГладкий, І. О. Вплив високого тиску та температури на формування кристалів нітриду галію з розчину в розплаві заліза : магістерська дис. : 132 Матеріалознавство / Гладкий Ілля Олексійович. - Київ, 2023. - 108 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/56264
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectgalium nitrideuk
dc.subjectgrowinguk
dc.subjectpressureuk
dc.subjectsingle crystalsuk
dc.subjectsolvent alloyuk
dc.subjecttemperatureuk
dc.titleВплив високого тиску та температури на формування кристалів нітриду галію з розчину в розплаві залізаuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Hladkyi_mahistr.pdf
Розмір:
5.64 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (ВТМПМ)
Магістерські роботи