Секцiя 1. Актуальнi проблеми сучасної фiзики

Постійне посилання зібрання

https://ela.kpi.ua/handle/123456789/66962

Переглянути

Перегляд Секцiя 1. Актуальнi проблеми сучасної фiзики за Автор "Гільчук, А. В."

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Вирощування тонких плівок кремнію з дихлорсилану (SiH2Cl2 ) методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2024) Кондрахін, М. В.; Гільчук, А. В.
    У даній статті був проведений літературний огляд та аналіз вирощування тонких плівок кремнію методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску з дихлорсилану (ДХС). Розглянуто, як працює метод ХОГФ, а також показана модель обрахунку швидкості росту кремнію за допомогою дихлорсилану й можливість удосконалення цієї моделі.
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Моделювання теплопровідності тонких плівок германію методами нерівноважної молекулярної динаміки
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2024) Суханевич, О. С.; Гільчук, А. В.; Суханевич, Р. В.
    Методами нерівноважної молекулярної динаміки у програмному забезпеченні з відкритим кодом LAMMPS досліджено ефективну теплопровідність германієвих наноплівок як функцію товщини та температури. Зі зменшенням товщини плівки ефективна теплопровідність зменшується, крім того, ефективна теплопровідність досліджуваного зразка зменшується з підвищенням температури. Отримане значення теплопровідності із залежності оберненої ефективної теплопровідності від оберненої товщини плівки для об’ємного Ge становить 79% від табличного значення теплопровідності цього матеріалу. Отримані результати в межах 13% узгоджуються із результатами інших досліджень.
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Моделювання інфрачервоного світлодіода на основі GaAs
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2024) Сіряк, Т. В.; Гільчук, А. В.
    З поширенням електроніки по всьому світу використання світлодіодів у різних електронних пристроях, від пультів дистанційного керування до освітлення складів, експоненційно зросло. При проектуванні світлодіодів найважливішими факторами залишаються мінімальне споживання енергії та максимальна ефективність випромінювання. Світлодіоди на основі GaAs зазвичай працюють у близькому інфрачервоному регіоні, випромінюючи інфрачервоне світло, яке не можна виявити за допомогою людського ока. Такі світлодіоди знаходять застосування у пультах дистанційного керування, медичних пристроях, камерах тощо. У цій статті розглядається моделювання світлодіода на основі GaAs з високою ефективністю випромінювання та мінімальним споживанням енергії. Завдяки відповідному легуванню p-типу неподалік від n-пластини досягається високий рівень збудження в інфрачервоному регіоні, що сприяє максимальній ефективності випромінювання світла. Це відкриває шлях для застосування світлодіодів на основі GaAs у різних оптоелектронних пристроях у майбутньому.