Кафедра мікроелектроніки (МЕ)

Постійне посилання на фонд

https://ela.kpi.ua/handle/123456789/209

Переглянути

Перегляд Кафедра мікроелектроніки (МЕ) за Автор "Безручко, Марко Валерійович"

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Сенсор на основі фотодіоду з InSb для середнього ІЧ діапазону
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020) Безручко, Марко Валерійович; Іващук, Анатолій Васильович
    Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію. Предмет роботи – створення сенсору на основі фоточутливого елементу з InSb, який працює при температурі 77К. Метою даної роботи є створення сенсору на основі фоточутливого елементу з InSb, який працює при температурі 77К та дослідження його характеристик. Перший інформаційно-аналітичний розділ роботи містить загальну інформацію про інфрачервоне випромінювання. Також в ньому коротко надана інформація про принципи охолодження фотодіодів та сфери використання. У другому розділі викладено інформацію про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду Четвертий розділ включає в себе стартап-проект на основі проведених досліджень. Опис та технологічний аудит ідеї, аналіз ринку, розробка ринкової стратегії та маркетингової програми стартап-проекту.
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів берилію
    (2019-06) Безручко, Марко Валерійович; Королевич, Любомир Миколайович
    Роботу викладено на 67 сторінках, вона містить 3 розділів, 59 ілюстрацій, 6 таблиці та 19 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію. Предмет роботи – вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу, профіль розподілу імплантованої домішки Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту. У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про детектори на основі InSb. У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду.