В цій статті розглядаються сучасні проблеми проектування датчиків струму як частини інтегральних мікросхем, серед яких точність, займане місце на кристалі, а також складність проектування і розробки. Розглянуто, загальний для більшості випадків, «струмовий» підхід проектування інтегральних датчиків, а також альтернативні підходи: підхід з використання «віртуальної» землі та повністю диференційний підхід. Для цих підходів
проведено порівняльний аналіз разом з виокремленням переваг і недоліків кожного. На основі аналізу цих підходів
запропоновано новий комбінований підхід, який буде мати кращі характеристики.