Статті (КЕОА)

Постійне посилання зібрання

https://ela.kpi.ua/handle/123456789/13080
У зібранні розміщено матеріали, що опубліковані або готуються до публікації в наукових журналах та збірниках.

Переглянути

Перегляд Статті (КЕОА) за Ключові слова "621.3.027.212"

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Методи зниження температурної залежності джерел опорної напруги інтегральних мікросхем
    (Sergeieva & Co, 2020) Цимбал, Олександр Володимирович; Корнєв, Володимир Павлович
    Розглянуто базові принципи побудови джерел опорної напругиінтегральних мікросхем. Проаналізовано можливі джерела похибки вихідної опорної напруги, переваги і недоліки існуючих архітектурних рішень джерел опорної напруги. Запропоновано архітектурне рішення побудови джерела опорної напруги з компенсацією нелінійностей вищих порядків, що має температуро незалежну вихідну напругу і здатне працювати при напрузі живлення рівній або нижче 1 В. Дане рішення має можливість реалізації в стандартній КМПО технології зміщення операційного підсилювача.
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Моделювання впливу параметрів основних компонентів джерел опорної напруги на вихідну напругу
    (Національний авіаційний університет, 2020) Цимбал, Олександр Володимирович; Корнєв, Володимир Павлович
    Метою дослідження є розробка моделі джерела опорної напруги, що здатна про-моделювати вплив параметрів основних структурних складових ДОН на точність і те-мпературну стабільність вихідної напруги.В статті проведено аналіз сучасного стану джерел опорної напруги в інтегральних мікросхемах. Встановлено, що це є одним із ос-новних блоків кожної мікросхеми. З’ясовано, що до ДОН висувають ряд вимог: вони по-винні володіти низькою чутливістю до зміни напруги живлення, температури, та до відхилень параметрів технологічного процесу виготовлення. При цьому ДОН повинні працювати при напрузі живлення рівній або меншій 1 В, щоб відповідати сучасним ас-пектам застосування. Запропоновано можливий підхід до побудови джерела опорної на-пруги, що має температуро незалежну вихідну напругу і здатне працювати при напрузі живлення рівній або меншій 1 В. Дане рішення має можливість реалізації в стандартній КМОН технології виготовлення інтегральних схем. Проведено аналіз можливих джерел похибки, що погіршують точність вихідної напруги джерела опорної напруги. Встанов-лено, що найбільш сильно на точність вихідної напруги впливає напруга зміщення опера-ційних підсилювачів. Запропоновано ідеалізовану модель, що містить ідеальні резистори і операційні підсилювачі – компоненти, що найбільш сильно впливають на точність і стабільність вихідної напруги ДОН. Розроблено модель операційного підсилювача, що здатна моделювати вхідний струм зміщення, вхідну напругу зміщення, вхідний опір, ди-ференційний коефіцієнт підсилення, вихідний опір, частотну залежність операційного підсилювача. Досліджено вплив коефіцієнту підсилення по напрузі, частотної смуги про-пускання, вихідного опору операційного підсилювача, вхідної напруги зміщення на номі-нальну вихідну напругу і на температурний коефіцієнт. Проведено регресійний аналіз для відображення у вигляді поліному 4-го порядку вигляду L=b0+b1T+b2T2+b3T3+b4T4 температурну залежність генерованих в схемі струмів. Що дозволяє вибрати ко-ректні значення коефіцієнтів передачі струму у струмових дзеркалах для зменшення те-мпературної залежності вихідної напруги.
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Структурна і параметрична оптимізація джерела опорної напруги
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2022) Павлов, Леонід Миколайович; Лебедев, Денис Юрійович
    В статті показана можливість зниження температурного коефіцієнту для джерела опорної напруги (ДОН), побудованого на біполярних транзисторах. Для цього першим кроком запропоновано поділити температурний діапазон роботи ДОН на два інтервали. Найімовірнішим для експлуатації є інтервал з додатніми значеннями температури. Такий поділ надає можливість удвічі зменшити температурний коефіцієнт для найімовірнішої робочої області при відповідному налаштуванні ДОН. При введенні вагових коефіцієнтів для оптимізації ДОН перевага надана робочому інтервалу саме додатніх температур. Це дає напрямок пошуку оптимального рішення при формалізації процесу оптимізації. За другим кроком запропоновано структурну схему з компенсаторами спаду температурної характеристиками. Далі запропоновано схеми електричні типового компенсатора та схеми включення одного і двох компенсаторів до нескомпенсованого ДОН. Цим також визначено правило введення наступних компенсаторів, якщо це буде доцільно. Проведено параметричну оптимізацію запропонованих схем ДОН. Проведено також експериментальне дослідження схеми ДОН з одною ланкою компенсації. В результаті оптимізації отримано зменшення значення температурного коефіцієнту на рівні 2,88 ppm/°C для схеми з одним компенсатором, та 1,0 ppm/°C для випадку включення в схему двох компенсаторів, що перевершує опубліковані новітні досягнення. При розширенні температурного діапазону в область низьких температур і застосуванні додаткових компенсаторів за наведеною структурною схемою слід очікувати зниження температурного коефіцієнта до 0,25 ... 0,5 ppm/°C.