2022
Постійне посилання на фонд
Переглянути
Перегляд 2022 за Ключові слова "621.383.52"
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Відкритий доступ Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2022) Кукурудзяк, М.С.Під час виготовлення координатних квадрантних p-i-n фотодіодів з високою напругою зворотного зміщення Uзм≥200 В було спостережено наявність систематичного браку виробів по рівню темнового струму одного (рідше кількох) фоточутливого елемента. Після вимірювання вольт-амперних характеристик побачено, що причиною вказаного є пробій p-n-переходу. Встановлено, що сильний вплив на напругу пробою мають кристалографічні дефекти, зокрема дислокації, механічні порушення, нерівні краї окисної плівки вікон для дифузії, нерівномірний дифузійний профіль, локальний тепловий вплив та ін. Збільшення напруги пробою можливе при збільшенні товщини підкладок, зменшенні концентрації легуючих домішок, чіткому контролю операцій фотолітографії, напилення та приварювання виводів.