Кафедра мікроелектроніки (МЕ)

Постійне посилання на фонд

https://ela.kpi.ua/handle/123456789/209

Переглянути

Перегляд Кафедра мікроелектроніки (МЕ) за Ключові слова "3D NAND"

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2023) Мельник, Анастасія Богданівна; Верцанова, Олена Вікторівна
    Детальний аналіз принципів роботи 3D NAND пам'яті, її геометрії, архітектури та масштабування, рівня поверхні, надійності та управління помилками дозволяє визначити фундаментальні особливості цієї технології. Розгляд архітектурних особливостей та можливих помилок в NAND Flash-пам'яті розширює наше розуміння функціональності цього типу пам'яті. Висвітлено важливість електронної мікроскопії як методу дослідження підповерхневих структур мікросхем типу 3D NAND. Проведено аналіз пристрою SNDM, CEM аналізу та трансмісійної електронної мікроскопії. Розглянуто принципи зображень та 3D реконструкції, а також визначено відмінності між скануючою трансмісійною електронною мікроскопією та іншими методами. Дослідження використовується для вдосконалення процесів виробництва та забезпечення якості мікросхем, а також для розробки нових технологій у сфері електроніки та комп'ютерних систем. Результати дослідження мають практичне значення для індустрії та можуть бути використані для вдосконалення якості та надійності електронних пристроїв на основі мікросхем типу 3D NAND.