Skip navigation
DSpace logo
  1. ELAKPI
  2. Наукова періодика
  3. Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал
  4. 2017
  5. Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 60, № 6 (660)
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/21695
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКаримов, Абдулазиз Вахитович-
dc.contributor.authorРахматов, Ахмат Зайнидинович-
dc.contributor.authorСкорняков, Станислав Петрович-
dc.contributor.authorЁдгорова, Дильбара Мустафаевна-
dc.contributor.authorКаримов, Абдувахоб Абдусаттарович-
dc.contributor.authorКулиев, Шукурулло Мустафаевич-
dc.date.accessioned2018-01-30T08:48:40Z-
dc.date.available2018-01-30T08:48:40Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationО механизме радиационной чувствительности падения прямого напряжения силового диода / А. В. Каримов, А. З. Рахматов, С. П. Скорняков, Д. М. Ёдгорова, А. А. Каримов, Ш. М. Кулиев // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2017. – Т. 60, № 6 (660). – C. 348–352. – Библиогр.: 7 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/21695-
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017060048uk
dc.languageruru
dc.language.isoruuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2017, Т. 60, № 6 (660)uk
dc.subjectсиловой диодuk
dc.subjectпадение прямого напряженияuk
dc.subjectоблучение электронамиuk
dc.subjectвремя жизни неосновных носителейuk
dc.titleО механизме радиационной чувствительности падения прямого напряжения силового диодаuk
dc.typeArticleuk
dc.format.pagerangeС. 348-352uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347017060048-
dc.subject.udc621.315.592.2:546.681’19uk
dc.description.abstractruПроведены экспериментальные исследования зависимости падения прямого напряжения и вольтамперной характеристики кремниевого силового диода от дозы облучения электронами. Установлено, что с увеличением дозы облучения от 2×10¹⁴ до 2×10¹⁵ Фe/см² прямое падение напряжения на диоде монотонно увеличивается, а времена жизни неосновных носителей заряда уменьшаются до одного порядка. В формировании вольтамперной характеристики после облучения электронами, наряду с уменьшением времени жизни неосновных носителей, преобладающую роль играет уменьшение концентрации основных носителей базы.uk
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоuk
Appears in Collections:Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 60, № 6 (660)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2017-06-348.pdfПервая страница, библиогр.76.3 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.