Вирощування тонких плівок кремнію з дихлорсилану (SiH2Cl2 ) методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску
dc.contributor.author | Кондрахін, М. В. | |
dc.contributor.author | Гільчук, А. В. | |
dc.date.accessioned | 2024-05-30T13:32:35Z | |
dc.date.available | 2024-05-30T13:32:35Z | |
dc.date.issued | 2024 | |
dc.description.abstract | У даній статті був проведений літературний огляд та аналіз вирощування тонких плівок кремнію методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску з дихлорсилану (ДХС). Розглянуто, як працює метод ХОГФ, а також показана модель обрахунку швидкості росту кремнію за допомогою дихлорсилану й можливість удосконалення цієї моделі. | |
dc.format.pagerange | С. 25-28 | |
dc.identifier.citation | Кондрахін, М. В. Вирощування тонких плівок кремнію з дихлорсилану (SiH2Cl2 ) методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску / М. В. Кондрахін, А. В. Гільчук // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXII Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, [Київ], 13−17 травня 2024 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2024. – С. 25-28. | |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/66981 | |
dc.language.iso | uk | |
dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | |
dc.publisher.place | Київ | |
dc.relation.ispartof | Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXII Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених (13−17 травня 2024 р., м. Київ, Україна) | |
dc.subject | Кремній | |
dc.subject | Хімічне осадження з газової фази | |
dc.subject | Дихлорсилан | |
dc.subject.udc | 541.1 | |
dc.title | Вирощування тонких плівок кремнію з дихлорсилану (SiH2Cl2 ) методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску | |
dc.type | Article |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 8.98 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: