Моделирование субмикронных гетеротранзисторов с низкоразмерными системами
| dc.contributor.advisor | Тимофеев, Владимир Иванович | |
| dc.contributor.author | Фалеева, Елена Михайловна | |
| dc.contributor.degreefaculty | электроники | uk |
| dc.contributor.degreegrantor | Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" | uk |
| dc.date.accessioned | 2011-06-01T15:15:58Z | |
| dc.date.available | 2011-06-01T15:15:58Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Фалеева Е. М. Моделирование субмикронных гетеротранзисторов с низкоразмерными системами : дисс. ... канд. техн. наук : 05.27.01 – твердотельная электроника / Е. М. Фалеева. - К., 2011. - 147 л. + CD-ROM | uk |
| dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/882 | |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.rights | Дисертація захищена авторським правом. Переглянути її можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу. | |
| dc.subject | субмікронні гетероструктурні транзистори | uk |
| dc.subject | квантові точки | uk |
| dc.subject | фізико-топологічна модель | uk |
| dc.subject | квантові ефекти | uk |
| dc.subject | субмикронные гетеротранзисторы | uk |
| dc.subject | квантовые точки | uk |
| dc.subject | физико-топологическая модель | uk |
| dc.subject | квантовые эффекты | uk |
| dc.subject | submicron heterotransistors | uk |
| dc.subject | quantum dots | uk |
| dc.subject | HEMT with QD | uk |
| dc.subject | physical-topological model | uk |
| dc.subject | quantum effects | uk |
| dc.title | Моделирование субмикронных гетеротранзисторов с низкоразмерными системами | uk |
| dc.type | Thesis Doctoral | uk |
| thesis.degree.discipline | физической и биомедицинской электроники | uk |
| thesis.degree.level | диссертация кандидата технических наук | uk |
| thesis.degree.name | кандидат технических наук | uk |
| thesis.degree.speciality | 05.27.01 – твердотельная электроника | uk |