Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДжеин, Пратик
dc.contributor.authorДжоши, А. М.
dc.date.accessioned2018-06-18T12:01:40Z
dc.date.available2018-06-18T12:01:40Z
dc.date.issued2018
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044uk
dc.description.abstractruВ статье приведен анализ потребляемой мощности и величины задержки 4x1 мультиплексора на базе расширенной конфигурации n-МОП транзистора AT-NMOS (Augmented Transistor NMOS). Рассмотрено влияние различных уровней общей ширины канала транзистора на характеристики мощности утечки и задержки в случае 45 нм технологии. Установлено, что параметр эффективности улучшается в предлагаемой конструкции на основе расширенной конфигурации p-МОП транзистора с закороченным участком затвор–исток и n-МОП структурой ASG-S PMOS-NMOS (Augmented Shorted Gate-Source PMOS with NMOS) по сравнению с 4x1 мультиплексором на основе конфигурации расширенного n-МОП транзистора со статическим порогом ST-ATNMOS (Static Threshold AT-NMOS). При этой комбинации получены желаемые параметры рабочей характеристики проектируемой схемы. В работе рассмотрено два типа моделей для 4x1 мультиплексора. Показано, что мощность утечки существенно сокращается. Характеристика задержки также улучшается до 5% при источнике питания 1 В в случае рассмотрения многоуровневой ширины канала транзистора для оценки моделей 4x1 мультиплексора на основе различных конфигураций расширенного n-МОП транзистора AT-NMOS. Моделирование осуществлялось при использовании моделирующих программ Cadence Analog Virtuoso и Spectre Simulator применительно к 45 нм КМОП-технологии.uk
dc.format.pagerangeС. 163-172uk
dc.identifier.citationДжейн, П. Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора / П. Джейн, А. М. Джоши // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 3 (669). – C. 163–172. – Библиогр.: 31 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347018030044
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/23484
dc.language.isoruuk
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоuk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2018, Т. 61, № 3 (669)uk
dc.subjectрасширенный n-МОП транзистор со статическим порогомuk
dc.subjectST-ATNMOSuk
dc.subjectрасширенный p-МОП транзистор с закороченным участком затвор-исток и n-МОП структуройuk
dc.subjectASG-S PMOS-NMOSuk
dc.subjectмощность утечкиuk
dc.subjectзадержкаuk
dc.subject.udc621.382.3uk
dc.titleАнализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексораuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2018-03-163.pdf
Розмір:
72.97 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница, библиогр.
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, Т. 61, № 3 (669)