Особенности технологи и конструирования InP-диодов Ганна

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorИванов, В. Н.
dc.contributor.authorКовтонюк, В. М.
dc.contributor.authorРаевская, Н. С.
dc.contributor.authorНиколаенко, Юрий Егорович
dc.contributor.authorIvanov, V. N.
dc.contributor.authorKovtoniuk, V. M.
dc.contributor.authorRaievskaia, N. S.
dc.contributor.authorNikolaenko, Yu. E.
dc.date.accessioned2016-09-01T12:12:58Z
dc.date.available2016-09-01T12:12:58Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractenThe characteristics of InP Gunn diodes manufactured of epitaxial structures of n+-n-n+ and n-n+ - types are considered. The technological scheme of Gunn diode chips manufacturing is given.The features of InP Gunn diodes designing based on starting material are shown.uk
dc.description.abstractruРассмотрены характеристики диодов Ганна на основе InP, изготовленных из эпитаксиальных структур п +-п-п + и п-п + - типов. Представлена технологическая схема изготовления чипов диодов Ганна. Рассмотрены особенности конструирования InP - диодов Ганна, обусловленные свойствами исходного материала.uk
dc.description.abstractukРозглянуто характеристики діодів Ганна на основі InP, виготовлених з епітаксійних структур п +-п-п + и п-п + - типів. Представлена технологічна схема виготовлення чіпів діодів Ганна. Розглянуто особливості конструювання InP - діодів Ганна, обумовлені властивостями вихідного матеріалу.uk
dc.format.pagerangeС. 31-33uk
dc.identifier.citationОсобенности технологи и конструирования InP-диодов Ганна / В. Н. Иванов, В. М. Ковтонюк, Н. С. Раевская, Ю. Е. Николаенко // Техника и приборы СВЧ. – 2009. – № 1. – С. 31–33.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/17468
dc.language.isoruuk
dc.publisherПолитехпериодикаuk
dc.publisher.placeОдессаuk
dc.sourceТехника и приборы СВЧ, 2009, № 1uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectдиод Ганнаuk
dc.subjectфосфид индияuk
dc.subjectGunn diodeuk
dc.subjectindium phosphideuk
dc.subject.udc621.382.029.64uk
dc.titleОсобенности технологи и конструирования InP-диодов Ганнаuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
ТПСВЧ_2009_1_31-33.pdf
Розмір:
161.93 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Статті (АЕ)