Використання прозорих електропровідних плівок двоокису олова у конструкціях МДН-фототранзисторів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЯганов, Петро Олексійович
dc.contributor.authorПолітанський, Леонід Францевич
dc.date.accessioned2021-12-20T13:33:09Z
dc.date.available2021-12-20T13:33:09Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractenIt is shown that the use of tin dioxide film as a transparent electroconductive gate in MOS- phototransistor reduces general efficiency of conversion of optical radiation into electric signal because of worse strengthening qualities of MOS-phototransistor, and the technological process of film formation creates additional risks of reducing the percentage of quality structures output.uk
dc.description.abstractruПоказано, что применение пленок двуокиси олова, как прозрачного электропроводящего затвора в МДП-фототранзисторе, снижает общую эффективность преобразования оптического излучения в электрический сигнал из-за ухудшения усилительных свойств МДП-транзистора, а технологический процесс формирования пленки создает дополнительные риски уменьшения процента выхода качественных структур.uk
dc.description.abstractukПоказано, що застосування плівок двоокису олова, як прозорого електропровідного затвору у МДН-фототранзисторі, знижує загальну ефективність перетворення оптичного випромінювання в електричний сигнал через погіршення підсилювальних властивостей МДН-транзистора, а технологічний процес формування плівки створює додаткові ризики зменшення проценту виходу якісних структур.uk
dc.format.pagerangeС. 69-72uk
dc.identifier.citationЯганов, П. О. Використання прозорих електропровідних плівок двоокису олова у конструкціях МДН-фототранзисторів / П. О. Яганов, Л. Ф. Політанський // Науковий вісник Чернівецького університету : збірник наукових праць. Фізика. Електроніка. – Чернівці : Чернівецький національний університет, 2011. – Т. 1., Вип. 1. – С. 69–72.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/45598
dc.language.isoukuk
dc.publisherЧернівецький національний університет ім. Юрія Федьковичаuk
dc.publisher.placeЧернівціuk
dc.sourceНауковий вісник Чернівецького університету: збірник наук. праць. Фізика. Електроніка.uk
dc.subjectМДН-фототранзисторuk
dc.subjectіндукований каналuk
dc.subjectпорогова напруга.uk
dc.subjectплівка двоокису оловаuk
dc.subjectMOS-phototransistor
dc.subjectinduced channel
dc.subjectthreshold voltage
dc.subject.udc621.382.323uk
dc.titleВикористання прозорих електропровідних плівок двоокису олова у конструкціях МДН-фототранзисторівuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
VNChU_2011_P.69-72.pdf
Розмір:
239.77 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.01 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Статті (КЕОА)