Рекордная эффективность солнечных батарей на варизонных тринитридах квантовых энесторов-зонисторов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсинский, Андрей Владимирович
dc.contributor.authorДягилев, Андрей Владимирович
dc.contributor.authorБорисов, Александр Васильевич
dc.contributor.authorЛяхова, Наталья Николаевна
dc.contributor.authorОначенко, Марат Сергеевич
dc.contributor.authorСуховий, Нина Олеговна
dc.contributor.authorМасол, Игорь Витальевич
dc.contributor.authorОсинский, Владимир Иванович
dc.date.accessioned2020-05-02T17:12:40Z
dc.date.available2020-05-02T17:12:40Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenThis paper discusses the use of solid solutions of multicomponent semiconductors for solar energy converted and storage devices in some structural and technological formation options suitable for monolithic integration. The eight-component system under consideration makes it possible to obtain varizon layers from Eg = 6.4 eV (AlN) to Eg = 0.18 eV (InSb) with any set of heterogeneous macro-, micro- and nanosized LED (laser) structures, which allows conduct classical sequential and parallel electronic and optical processing of information, and convert photon fluxes into electric current and accumulate electrical energy in potential wells in the same chip. In this case, the entire spectrum of solar electromagnetic radiation from 200 nm (ultraviolet) to infrared radiation of 12000 nm is used, which is effectively absorbed in the gap layer practically without loss of energy transfer to one or several narrow-band regions specially created by the program in the epitaxy of the varizon layers. The article analyzes examples of the implementation of some heterostructures for converting solar energy into electrical energy, such as AlGaAsSb / GaSb and GaInAsP / InP. The options for optimizing the luminous flux and resistance of contacts in graded-gap construction are considered using the example of an optoelectronic converter. The constructive use of rektenna for energy conversion is considered. The possibilities of using III-nitrides and nanocarbonitrides for energy storage layers of enestors are analyzed. For the formation of optimal nano-templates, as it was established in the course of studies of a simplified model of the process of defect formation, with radii of nano-creations of less critical, dislocation can be achieved with any thickness of the nanotemple. In this case, the curves of the conditionally dislocation-free relief are dominated by three-dimensional limiting effects. Thus, thermodynamic parameters (temperature, pressure) and precursors were experimentally determined in terms of studies of nanocarbide processes in MOСVD epitaxy III-nitrides on nanoparticles of sapphire, in which self-formation of consolidated nanocarbides is realized for layers of energy accumulation on the basis of which, at the present time, the Research Institute of Micro Devices NASU continues research on working out and bringing to the industrial sample the technology of a super capacitor in an enestor chip. These studies and practical developments have demonstrated the great potential of zonistor heterogeneous structures on Iii-nitrides for highly efficient transformation and accumulation of solar radiation energy. The developed gas-phase technology of selective epitaxy makes it possible to obtain defect-free heterostructures, which ensures a high quantum yield of conversion of the whole broad spectrum of solar radiation into electric current and accumulate its energy in one integrated structure. The high quantum yield of the photoelectric effect in nanostructures of solid solutions of the BAlGaInNPAsSb system compensates for technological costs and significantly changes the very paradigm of not only providing energy to electronic functional devices, but also makes it possible in principle to develop a new perspective energy resource for many applications.uk
dc.description.abstractruРазработана новая квантовая оптимизация накопления энергии излучения Солнца в энесторах на многокомпонентных твердых растворах А3В5: BAlGalnNPAsSb. Рассматриваются следующие методы увеличения эффективности солнечных батарей: 1. Накопление носителей в глубоких потенциальных ямах и квантовых точках; 2. Усиление тока, управляемое классическими кремний-транзисторными и квантовыми процессорами; 3. Квантовые вычисления оптимальных потоков электронов, которые образуют квантово-размерные куперовские пары, аналогично высокотемпературной сверхпроводимости; 4. Варизонное и гетерогенное расширение спектра поглощения излучения Солнца; 5. Бездефектные согласующие темплетные гетерослои в селективной наноэпитаксии; 6. Интеграция выпрямления СВЧ терагерцовых сигналов в нанопористых структурах ректен терагерцового диапазона; 7. Накопление энергии в графеновых суперконденсаторах, полученных в самоорганизованных нанопорах Al2O3; 8. Увеличение поглощения фотонов вертикальными стенками нанопор частично эпитаксиально зарощенными основным материалом кремнием или твёрдыми растворами А3В5. Разработанные технологии позволяют существенно, в 2–5 раз, увеличить энергетическую эффективность солнечных батарей на Si/III-нитридных наноструктурах.uk
dc.description.abstractukРозроблена нова квантова оптимізація накопичення енергії випромінювання Сонця в енесторах на багатокомпонентних твердих розчинах А3В5: BAlGalnNPAsSb. Розглядаються наступні методи збільшення ефективності сонячних батарей: 1. Накопичення носіїв у глибоких потенціальних ямах і квантових точках; 2. Посилення струму, кероване класичними кремній-транзисторними і квантовими процесорами; 3. Квантові обчислення оптимальних потоків електронів, які утворюють квантово-розмірні куперовские пари, аналогічно високотемпературній надпровідності; 4. Варізонне та гетерогенне розширення спектра поглинання випромінювання Сонця; 5. Бездефектні узгоджувальні темплетні гетерошари в селективній наноепітаксії; 6. Інтеграція випрямлення НВЧ терагерцових сигналів у нанопористих структурах ректен терагерцового діапазону; 7. Накопичення енергії в графенових суперконденсаторах, отриманих у самоорганізованих нанопорах Al2O3; 8. Збільшення поглинання фотонів вертикальними стінками нанопор частково епітаксійно зарощенними основним матеріалом кремнієм або твердими розчинами А3В5. Розроблені технології дають змогу істотно, в 2–5 разів, збільшити енергетичну ефективність сонячних батарей на Si / III-нітридних наноструктурах.uk
dc.format.pagerangeС. 6-16uk
dc.identifier.citationРекордная эффективность солнечных батарей на варизонных тринитридах квантовых энесторов-зонисторов / Осинский А. В., Дягилев А. В., Борисов А. В., Ляхова Н. Н., Оначенко М. С., Суховий Н. О., Масол И. В., Осинский В. И. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2018. – Т. 23, № 5(106). – С. 6–16. – Бібліогр.: 18 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/2523-4455.2018.23.5.146335
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/33188
dc.language.isoruuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/uk
dc.sourceМікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2018, Т. 23, № 5(106)uk
dc.subjectIII-нитридыuk
dc.subjectсолнечные батареиuk
dc.subjectгетерогенные твёрдые растворы А3В5uk
dc.subjectнакопление энергииuk
dc.subjectэнесторыuk
dc.subjectзонисторыuk
dc.subjectректеныuk
dc.subjectIII-нітридиuk
dc.subjectсонячні батареїuk
dc.subjectгетерогенні тверді розчини А3В5uk
dc.subjectнакопичення енергіїuk
dc.subjectенесториuk
dc.subjectзоністориuk
dc.subjectректениuk
dc.subjectIII-nitridesuk
dc.subjectsolar batteriesuk
dc.subjectheterogeneous solid solutions А3В5uk
dc.subjectaccumulation of energyuk
dc.subjectenestorsuk
dc.subjectzonistorsuk
dc.subjectrectensuk
dc.subject.udc621.38(075.8)uk
dc.titleРекордная эффективность солнечных батарей на варизонных тринитридах квантовых энесторов-зонисторовuk
dc.title.alternativeРекордна ефективність сонячних батарей на варізонних трінітрідах квантових енесторів-зоністорівuk
dc.title.alternativeRecord Efficiency of Solar Cells Based on Graded-Gap Trinitrides of Quantum Enestors-Zonistorsuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
MEA2018_23-5_p6-16.pdf
Розмір:
641.66 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Мікросистеми, Електроніка та Акустика: науково-технічний журнал, Т. 23, № 5(106)