Формування фазового складу і структури в нанорозмірних плівкових композиціях CoSb(1,82−2,51)(30 нм)/SiO2(100 нм)/Si(001) — функціональних елементах термоелектроніки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМакогон, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorБеддіс, Гунтер
dc.contributor.authorВербицька, Тетяна Іванівна
dc.contributor.authorДаніель, Маркус
dc.contributor.authorШкарбань, Руслан Анатолійович
dc.date.accessioned2020-09-17T07:23:26Z
dc.date.available2020-09-17T07:23:26Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractenBy the methods of x-ray photography diffraction, scanning electron microscopy, atomic-power microscopy and resistometry, we investigate the processes of phase formation and structure in CoSb(1,82–2,51)(30 nm) thin film on the single-crystal silicon of Si(001) substrate with the SiO2(100 nm) oxide layer. We determine that the two-phase state – CoSb2 antimonide with a monoclinic crystalline lattice and CoSb3 with the cube crystalline lattice of skutterudite type is formed in CoSb(1,82–2,51)(30 nm)/ SiO2(100 nm)/Si(001) thin film compositions after deposition as well as after annealing. Furthermore, the grains size of both phases increases after the thin films annealing in an interval of 720–970 K, however, when it exceeds 875 K some discontinuity flaws appear on thin films.uk
dc.description.abstractruИсследованы процессы фазообразования и структура в пленке CoSb(1,82–2,51)(30 нм) на подложке монокристаллического кремния Si(001) со слоем оксида SiO2(100 нм) методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и резистометрии. Установлено, что в пленочных композициях CoSb(1,82–2,51)(30 нм)/SiO2(100 нм)/Si(001) после осаждения и после отжига формируется двухфазное состояние – антимониды CoSb2 с моноклинной кристаллической решеткой и CoSb3 с кубической кристаллической решеткой типа скуттерудита. После отжигов пленок в интервале 720–970 К происходит увеличение зерен обеих фаз, а выше 875 К появляются несплошности пленок.uk
dc.description.abstractukДосліджено процеси фазоутворення і структура в плівці CoSb(1,82–2,51)(30 нм) на підкладці монокристалічного кремнію Si(001) з шаром оксиду SiO2(100 нм) методами рентгенівської дифракції, растрової електронної мікроскопії, атомно-силової мікроскопії та резисторметрії. Встановлено, що в плівкових композиціях CoSb(1,82–2,51)(30 нм)/SiO2(100 нм)/Si(001) після осадження та після відпалу формується двофазний стан – антимоніди CoSb2 з моноклінною кристалічною ґраткою та CoSb3 з кубічною кристалічною ґраткою типу скутерудиту. Після відпалів плівок в інтервалі 720–970 К відбувається збільшення зерен обох фаз, а вище 875 К з’являються несуцільності плівок.uk
dc.format.pagerangeС. 97-101uk
dc.identifier.citationФормування фазового складу і структури в нанорозмірних плівкових композиціях CoSb(1,82−2,51)(30 нм)/SiO2(100 нм)/Si(001) — функціональних елементах термоелектроніки / Ю. М. Макогон, Г. Беддіс, Т. І. Вербицька, М. Даніель, Р. А. Шкарбань // Наукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал. – 2010. – № 5(73). – С. 97–101. – Бібліогр.: 8 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/36269
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceНаукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал, 2010, № 5(73)uk
dc.subject.udc539.216.2:661.685uk
dc.titleФормування фазового складу і структури в нанорозмірних плівкових композиціях CoSb(1,82−2,51)(30 нм)/SiO2(100 нм)/Si(001) — функціональних елементах термоелектронікиuk
dc.title.alternativeFormation of phase composition and structure in nanosize thin film compositions CoSb(1,82–2,51)(30 nm)/SiO2(100 nm)/ Si(001) – functional elements of thermionicsuk
dc.title.alternativeФормирование фазового состава и структуры в наноразмерных пленочных композициях CoSb(1,82–2,51)(30 нм)/ SiO2(100нм)/Si(001) – функциональных элементах термоэлектроникиuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2010-5-14.pdf
Розмір:
1.33 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові вісті НТУУ «КПІ»: науково-технічний журнал, № 5(73)