Перспектива заміни кремнієвих IGBT на карбід кремнієві MOSFET в автономних інверторах напруги та струму в складі сучасних електромеханічних систем для поліпшення їх динамічних та енергетичних показників при використанні високочастотної ШІМ

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКовбаса, С. М.
dc.contributor.authorВербовий, Ю. В.
dc.date.accessioned2026-03-03T14:00:41Z
dc.date.available2026-03-03T14:00:41Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractВ роботі наведено огляд основних фізичних та електричних характеристик напівпровідникових матеріалів кремнію та карбіду кремнію які використовуються для виготовлення сучасних силових напівпровідникових приладів. Використовуючи раніше розроблену та виготовлену експериментальну установку для тесту подвійним імпульсом (Double-Pulse Test, DPT), для різних струмів комутації проведено тестування процесів переключання транзисторів. В результаті аналізу проведених тестів показано, що за інших рівних умов SiC-MOSFET забезпечує найменші втрати на перемикання, що свою чергу робить цей тип транзисторів найбільш придатним для використання у застосуваннях з високою частотою широтно-імпульсної модуляції. Показано, що використання SiC-MOSFET потенційно може забезпечити зменшення мертвого часу перетворювача у порівнянні з Si-IGBT, що в свою чергу дозволить покращити динамічні властивості автономних інверторів напруги та спростити або повністю відмовитися від застосування алгоритмів компенсації мертвого часу. Результати виконаних досліджень можуть бути використані при розробці силових напівпровідникових перетворювачів електроприводів різних типів або статичних перетворювачів параметрів електричної енергії. Бібл. 16, рис. 3, табл. 2.
dc.description.abstractotherThe paper provides an overview of the main physical and electrical characteristics of silicon and silicon carbide semiconductor materials which are used for manufacturing modern power semiconductor devices. Using a previously developed experimental setup for the DoublePulse Test (DPT), transistor switching processes were tested for different switching currents. As a result of the analysis of the tests, it is shown that SiC-MOSFET provides the lowest switching losses, which in turn makes this type of transistor the most suitable for use in applications with high pulse-width modulation frequency. It is shown that the use of SiC-MOSFET can potentially provide a reduction in the dead time of the converter compared to Si-IGBT, which in turn will allow improving the dynamic properties of autonomous voltage inverters and simplifying or completely abandoning the use of dead time compensation algorithms. The results of the research can be used in the development of power semiconductor converters for electric drives of various types or static converters of electrical energy parameters. Ref. 16, Fig. 3, Tabl. 2.
dc.format.pagerangeС. 51-58
dc.identifier.citationВербовий, Ю. В. Перспектива заміни кремнієвих IGBT на карбід кремнієві MOSFET в автономних інверторах напруги та струму в складі сучасних електромеханічних систем для поліпшення їх динамічних та енергетичних показників при використанні високочастотної ШІМ / Вербовий Ю. В. // Аспірантські читання імені професора Артура Веніаміновича Праховника, до 85-річчя від дня народження : матеріали наукової конференції, [Київ], 25–26 берез. 2025 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. - Київ, 2025. - С. 51-58.
dc.identifier.orcid0009-0001-7032-9536
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/79201
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.relation.ispartofАспірантські читання імені професора Артура Веніаміновича Праховника, до 85-річчя від дня народження : матеріали наукової конференції, 25–26 берез. 2025 р., м. Київ, Україна
dc.subjectнапівпровідники з широкою забороненою зоною
dc.subjectтест подвійним імпульсом
dc.subjectсилова електроніка
dc.subjectSiC-MOSFET
dc.subjectSi-IGBT
dc.subjectвтрати на перемикання
dc.subjectвисокочастотна ШІМ
dc.subjectwide bandgap semiconductors
dc.subjectdouble pulse test
dc.subjectpower electronics
dc.subjectswitching losses
dc.subjecthigh-frequency PWM
dc.subject.udc681.5:52
dc.titleПерспектива заміни кремнієвих IGBT на карбід кремнієві MOSFET в автономних інверторах напруги та струму в складі сучасних електромеханічних систем для поліпшення їх динамічних та енергетичних показників при використанні високочастотної ШІМ
dc.title.alternativeProspects of replacement of silicon IGBT with silicon carbide MOSFET in autonomous voltage and current inverters in modern electromechanical systems to improve their dynamic and energy performances in case of using high-frequency PWM
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
85th_Prakhovnyka_NK2025-51-58.pdf
Розмір:
459.65 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Аспірантські читання імені професора Артура Веніаміновича Праховника до 85-річчя від дня народження