Розроблення технології отримання нанокристалічних плівок кремнію на основі аморфного сплаву Si-Sn-C та методів контролю p-n-переходу і структури
| dc.contributor.advisor | Якименко, Юрій Іванович | |
| dc.contributor.advisor | Yakimenko, I. Yuri | en |
| dc.contributor.advisor | Якименко, Юрий Иванович | ru |
| dc.contributor.degreegrantor | Науково-дослідний інститут прикладної електроніки НТУУ «КПІ» | uk |
| dc.contributor.researchgrantor | Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-02-06T14:44:14Z | |
| dc.date.available | 2017-02-06T14:44:14Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.description.abstracten | Developed and implemented technological scheme of low-temperature synthesis of nanocrystalline silicon films. The method of thermal vacuum deposition in a stream of high-energy electrons. Theoretical model of the thin-film photovoltaic based nanocrystalline silicon (nc-Si). The model takes into account the three-dimensional distribution of potential barriers. For the first time analyzed the quantitative criteria of structural and technological parameters - doping profile distribution and concentration gradient dopant, doping depth, the ratio of the areas and regions n і n+ - type conductivity. A quantitative criteria of structural and technological parameters. To achieve efficiency ratio above 24% is necessary to ensure the value of the embedded positive charge over 2,5•10-2 Кл/м2 , density of surface states on the verge of insulator - semiconductor least 1015 ев-1м-2, depth n + - region more than 3 microns. Proposed and experimentally proven technological modes of formation of nanocrystals in films of α-Si:H. By IR spectroscopy established types of bonds in the obtained films Si-Sn-C, Si-О, Si-H, Si-H-N. Ellipsometric studies have shown that the value of the index of refraction ranges 3-1,5. By electron-beam evaporation were synthesized nanocrystalline silicon films based on the set of alloys. Conducted search and optimization of the technological conditions of the synthesis of films by reactive RF magnetron sputtering. The processes of low-temperature synthesis. Developed and experimentally tested method of increasing the photosensitivity of nanocrystalline silicon. The method of recrystallization during irradiation with ultraviolet semiconductor laser. Obtained films have high conductivity and optical absorption in the region of 400 nm. Show heterojunction diode characteristics at low voltage 0,01-0,2 In turn live. | uk |
| dc.description.abstractru | Разработана и реализована технологическая схема низкотемпературного синтеза нанокристаллических пленок кремния. Разработан метод термического вакуумного напыления в потоке высокоэнергетических электронов. Создана теоретическая модель структуры тонкопленочного фотоэлектрического преобразователя на основе нанокристаллического кремния (nc-Si). Модель учитывает трехмерное распределение потенциальных барьеров. Впервые проанализированы количественные критерии конструктивных и технологических параметров - легирование, профиль распределения и градиент концентрации легирующей примеси, глубины легирования, соотношение площадей областей n і n+ - типов проводимости. Разработаны количественные критерии конструктивно-технологических параметров. Для достижения коэффициента полезного действия выше 24% необходимо обеспечить величину встроенного положительного заряда более 2,5•10-2 Кл/м2, плотность поверхностных состояний на границе диэлектрик - полупроводник меньше 1015 ев-1м-2, глубину n + - области более 3 мкм. Предложены и экспериментально проверены технологические режимы формирования нанокристаллов в пленках α-Si:H. Методом ИК-спектроскопии установлены типы связей в полученных пленках Si-Sn-C, Si-О, Si-H, Si-H-N. Елипсометрични исследования показали, что значение показателя преломления изменяется в диапазоне 3-1,5. Методом электронно-лучевого испарения были синтезированы пленки нанокристаллического кремния на основе заданных сплавов. Проведенный поиск и оптимизация технологических режимов синтеза пленок методом реактивного ВЧ-магнетронного распыления. Исследованы процессы низкотемпературного синтеза. Разработана и экспериментально проверена методика повышения фоточувствительности нанокристаллического кремния. Разработан способ перекристаллизации при облучении полупроводниковым ультрафиолетовым лазером. Получены пленки имеют высокую проводимость и оптическое поглощением в области 400 нм. Гетеропереходы проявляют диодные характеристики при низких значениях напряжения 0,01-0,2 В в прямом включении. | uk |
| dc.description.abstractuk | Розроблено і реалізовано технологічну схему низькотемпературного синтезу нанокристалічних плівок кремнія. Розроблено метод термічного вакуумного напилення в потоці високоенергетичних електронів. Створена теоретична модель структури тонкоплівкового фотоелектричного перетворювача на основі нанокристалічного кремнію (nc-Si). Модель враховує тривимірний розподіл потенційних бар'єрів. Вперше проаналізовані кількісні критерії конструктивних і технологічних параметрів - легування, профіль розподілу і градієнт концентрації легуючої домішки, глибини легування, співвідношення площ областей n і n+ - типів провідності. Розроблено кількісні критерії конструктивно-технологічних параметрів. Для досягнення коефіцієнту корисної дії вище 24 % необхідно забезпечити величину вбудованого позитивного заряду більш 2,5•10-2 Кл/м2 , щільність поверхневих станів на межі діелектрик – напівпровідник менше 1015 ев-1м-2, глибину n+ - області більш 3 мкм. Запропоновані і експериментально перевірені технологічні режими формування нанокристалів у плівках α-Si:H. Методом ІЧ-спектроскопії встановлені типи зв'язків в отриманих плівках Si-Sn-C, Si-О, Si-H, Si-H-N. Еліпсометричні дослідження показали, що значення показника переломлення змінюється в діапазоні 3-1,5. Методом електронно-променевого випару були синтезовані плівки нанокристалічного кремнію на основі заданих сплавів. Проведений пошук та оптимізація технологічних режимів синтезу плівок методом реактивного ВЧ-магнетронного розпилення. Досліджені процеси низькотемпературного синтезу. Розроблена та експериментально перевірена методика підвищення фоточутливості нанокристалічного кремнію. Розроблено спосіб перекристалізації при опроміненні напівпровідниковим ультрафіолетовим лазером. Отримано плівки мають високу провідність і оптичне поглинанням в області 400 нм. Гетеропереходи проявляють діодні характеристики при низьких значеннях напруги 0,01-0,2В в прямому включенні. | uk |
| dc.format.page | 5 с. | uk |
| dc.identifier | 2528-п | |
| dc.identifier.govdoc | 01120U003168 | |
| dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/18735 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | НТУУ «КПІ» | uk |
| dc.publisher.place | Київ | uk |
| dc.status.pub | published | uk |
| dc.subject | спосіб перекристалізації | uk |
| dc.subject | фотоелектричні перетворювачі | uk |
| dc.subject | нанокристалічні кремнієві плівки | uk |
| dc.title | Розроблення технології отримання нанокристалічних плівок кремнію на основі аморфного сплаву Si-Sn-C та методів контролю p-n-переходу і структури | uk |
| dc.title.alternative | Development of technology for production of nanocrystalline silicon films based on amorphous Si-Sn-C and control methods and the pn-junction structure | uk |
| dc.title.alternative | Разработка технологии получения нанокристаллических пленок кремния на основе аморфного сплава Si-Sn-C и методов контроля p-n-перехода и структуры | uk |
| dc.type | Technical Report | uk |
| thesis.degree.level | - | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 7.65 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: