Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1)

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBogdan, A.
dc.contributor.authorOrlov, A.
dc.contributor.authorUlianova, V.
dc.contributor.authorБогдан, О. В.
dc.contributor.authorОрлов, А. Т.
dc.contributor.authorУльянова, В. О.
dc.contributor.authorБогдан, А. В.
dc.contributor.authorОрлов, А. Т.
dc.contributor.authorУльянова, В. А.
dc.date.accessioned2013-06-11T14:06:27Z
dc.date.available2013-06-11T14:06:27Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractenEffects of different growing conditions on the structure and properties of obtained by sol-gel method ZnO seed-layer film are observed. The recent progress in the field of synthesis of ZnO seed-layer film for growing of vertically oriented nanorods is given. The correlation between type, concentration of sol-gel and annealing temperature of ZnO seed-layer film for obtaining of high-quality ZnO nanorods is established.uk
dc.description.abstractruРассмотрено влияние различных условий синтеза на структуру и свойства полученного с помощью золь-гель метода зародышевого слоя ZnO. Показаны основные достижения в области синтеза зародышевого слоя ZnO для создания вертикальных наностержней. Установлена связь между составом, концентрацией золь-геля и температурой отжига зародышевой пленки и характеристиками зародышевого слоя для формирования высококачественных стержневых структур ZnO.uk
dc.description.abstractukРозглянуто вплив різноманітних умов синтезу на структуру та властивості отриманого за допомогою золь-гель методу зародкового шару ZnO. Показано основні досягнення у галузі синтезу зародкового шару ZnO для створення вертикальних нанострижнів. Встановлено зв’язок між складом, концентрацією золь-гелю і температурою відпалу зародкової плівки та характеристиками зародкового шару для формування високоякісних стрижневих структур ZnO.uk
dc.format.pagerangePp. 7-13uk
dc.identifier.citationBogdan A. Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1) / A. Bogdan, A. Orlov, V. Ulianova // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2012. – № 6(71). – С. 7–13. – Библиогр.: 15 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/2758
dc.language.isoenuk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceЭлектроника и связь : научно-технический журналru
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectZnO seed-layeren
dc.subjectsol-gelen
dc.subjectzinc nitrateen
dc.subjectzinc acetateen
dc.subjectannealing temperatureen
dc.subjectзародковий шар ZnOuk
dc.subjectзоль-гельuk
dc.subjectгексагідрат нітрату цинкуuk
dc.subjectацетат цинкуuk
dc.subjectтемпература відпалуuk
dc.subjectзародышевый слой ZnOru
dc.subjectгексагидрат нитрата цинкаru
dc.subjectацетат цинкаru
dc.subjectтемпература отжигаru
dc.subject.udc539.21uk
dc.titleGrowing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1)uk
dc.title.alternativeПараметри росту та якість плівки зародкового шару ZnO (частина 1)uk
dc.title.alternativeПараметры роста и качество пленки зародышевого слоя ZnO (часть 1)uk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
1.pdf
Розмір:
1.39 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Электроника и связь: научно-технический журнал, № 6(71)