Розроблення сегнетоелектричних запам'ятовуючих пристроїв для пам'яті ЕОМ та засобів захисту інформації
Вантажиться...
Дата
2008
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Об’єкт дослідження: технологія, властивості та характеристики тонких сегнетоелектричних плівок на кремнієвих пластинах з електронними схемами, параметри, структури та технологія сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів та пристроїв.
Метою роботи є дослідження та розробка технічних та технологічних принципів побудови і створення засобів проектування і виготовлення електрично перепрограмованих постійних та енергонезалежних оперативних запам’ятовуючих елементів та пристроїв на тонких сегнетоелектричних плівках з підвищеними експлуатаційними характеристиками. Кінцевою метою є створення нанорозмірних (до 1012 біт/см2) систем запису та довгострокового збереження інформації з швидкодіючим електронним зчитуванням та довільним доступом для пам’яті ЕОМ та систем захисту інформації.
Метод досліджень: статистичний аналіз експериментальних результатів, аналітичне та комп’ютерне моделювання.
Обґрунтовано та досліджено напрямки структурної та технологічної реалізації сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв (СЗП) на п’єзотрансформаторних та п’єзоконденсаторних елементах з неруйнівним зчитуванням, суміщених з напівпровідниковими схемами на кремнієвих пластинах , які доповнюють функціональні можливості широко впровадженої сегнетоелектричної пам'яті на конденсаторних елементах з руйнівним зчитуванням (пам'яті FRAM) і призначені для побудови апаратно-програмних засобів захисту інформації та зовнішньої пам'яті ЕОМ. Виконано топологічне проектування, виготовлено та досліджено макетний зразок тестової структури запам’ятовуючого пристрою ємністю пам'яті 1кбіт на тонкій плівці 0,2 мкм системи цирконату-титанату свинцю. Проведено технологічні дослідження по зменшенню товщини та поліпшенню електрофізичних властивостей сегнетоелектричних плівок, отримуваних ВЧ-катодним розпиленням п’єзоелектричної кераміки ЦТС-19 на окислені кремнієві пластини з електричними контактами на основі платини та оксидів з високою електропровідністю. Застосування Pt, SnO2 та Y0,5Sr0,5CoO3 дозволяє отримувати тонку сегнетоелектричну плівку, товщиною до 0,9, 0,5 та 0,1 мкм з властивостями близькими до об’ємного матеріалу. Досягнута напруга перемикання поляризації 3-5В та швидкодія 30-40 нс.
Результати є патентно конкурентноспроможними в частині технології та структурної реалізації пристроїв (отримано два патенти України та готуються матеріали до патентування).
Розробка відповідає сучасному світовому рівню, направлена на створення надійної електронної енергонезалежної пам’яті з перспективними проектно-конструкторськими нормами.
Опис
Ключові слова
сегнетоелектричні плівки, запам'ятовуючі елементи та пристрої, технологія виготовлення
Бібліографічний опис
Розроблення сегнетоелектричних запам'ятовуючих пристроїв для пам'яті ЕОМ та засобів захисту інформації : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. К. Самофалов. - К., 2008. - 211 л. + CD-ROM. - Д/б №2005-п