Моделювання інфрачервоного світлодіода на основі GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСіряк, Т. В.
dc.contributor.authorГільчук, А. В.
dc.date.accessioned2024-05-30T14:17:47Z
dc.date.available2024-05-30T14:17:47Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractЗ поширенням електроніки по всьому світу використання світлодіодів у різних електронних пристроях, від пультів дистанційного керування до освітлення складів, експоненційно зросло. При проектуванні світлодіодів найважливішими факторами залишаються мінімальне споживання енергії та максимальна ефективність випромінювання. Світлодіоди на основі GaAs зазвичай працюють у близькому інфрачервоному регіоні, випромінюючи інфрачервоне світло, яке не можна виявити за допомогою людського ока. Такі світлодіоди знаходять застосування у пультах дистанційного керування, медичних пристроях, камерах тощо. У цій статті розглядається моделювання світлодіода на основі GaAs з високою ефективністю випромінювання та мінімальним споживанням енергії. Завдяки відповідному легуванню p-типу неподалік від n-пластини досягається високий рівень збудження в інфрачервоному регіоні, що сприяє максимальній ефективності випромінювання світла. Це відкриває шлях для застосування світлодіодів на основі GaAs у різних оптоелектронних пристроях у майбутньому.
dc.format.pagerangeС. 45-47
dc.identifier.citationСіряк, Т. В. Моделювання інфрачервоного світлодіода на основі GaAs / Т. В. Сіряк, А. В. Гільчук // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXII Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, [Київ], 13−17 травня 2024 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2024. – С. 45-47.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/66986
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.relation.ispartofТеоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXII Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених (13−17 травня 2024 р., м. Київ, Україна)
dc.subjectсвітлодіод
dc.subjectарсенід галію
dc.subjectінфрачервоний регіон
dc.subjectоптичний перехід
dc.subjectоптоелектроніка
dc.subject.udc536.2 543.5 544.4
dc.titleМоделювання інфрачервоного світлодіода на основі GaAs
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Pp-45-47.pdf
Розмір:
344.51 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секцiя 1. Актуальнi проблеми сучасної фiзики