Особенности конструкции и технологии изготовления диодов Ганна из арсенида галлия, работающих на частотах выше 60 ГГц

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовтонюк, В. М.
dc.contributor.authorИванов, В. Н.
dc.contributor.authorНиколаенко, Юрий Егорович
dc.contributor.authorKovtoniuk, V. M.
dc.contributor.authorIvanov, V. N.
dc.contributor.authorNikolaenko, Yu. E.
dc.date.accessioned2016-09-01T13:12:08Z
dc.date.available2016-09-01T13:12:08Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractenThe design is developed and promising manufacturing technology Gunn diodes on GaAs epitaxial structures p-n + - type contact with the cathode, injecting hot electrons. Abstract monogarmonichesky and biharmonic modes at frequencies above 60 GHz. It reached a value of 1.2% efficiency for generators operating in Biharmonic mode, the operating frequency of 94 GHz.uk
dc.description.abstractruРазработана конструкция и перспективная технология изготовления диодов Ганна на эпитаксиальных структурах GaAs п-п + - типа с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Исследованы моногармонический и бигармонический режимы работы на частотах выше 60 ГГц. Достигнуто значение КПД 1,2% для генераторов, работающих в бигармоническом режиме на рабочей частоте 94 ГГц.uk
dc.description.abstractukРозроблено конструкцію і перспективну технологію виготовлення діодів Ганна на епітаксійних структурах GaAs п-п + - типу з катодних контактом, инжектуючим гарячі електрони. Досліджено моногармонічний і бігармонічний режими роботи на частотах вище 60 ГГц. Досягнуто значення ККД 1,2% для генераторів, що працюють в бігармонічному режимі на робочій частоті 94 ГГц.uk
dc.format.pagerangeC. 55-57uk
dc.identifier.citationКовтонюк, В. М. Особенности конструкции и технологии изготовления диодов Ганна из арсенида галлия, работающих на частотах выше 60 ГГц / В. М. Ковтонюк, В. Н. Иванов, Ю. Е. Николаенко // Техника и приборы СВЧ. – 2008. – № 1. – С. 55–57.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/17473
dc.language.isoruuk
dc.publisherПолитехпериодикаuk
dc.publisher.placeОдесаuk
dc.source.nameТехника и приборы СВЧuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectдиод Ганнаuk
dc.subjectарсенид галлияuk
dc.subjectбигармонический режимuk
dc.subjectGunn diodeuk
dc.subjectgallium arsenideuk
dc.subjectbiharmonic modeuk
dc.subject.udc621.382.029.64uk
dc.titleОсобенности конструкции и технологии изготовления диодов Ганна из арсенида галлия, работающих на частотах выше 60 ГГцuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
ТПСВЧ_2008_1_55-57.pdf
Розмір:
180.12 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Статті (АЕ)