Добротность перестраиваемых микрополосковых резонаторов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСергиенко, Павел Юрьевичru
dc.contributor.authorКазмиренко, Виктор Анатольевичru
dc.contributor.authorЧернов, Артем Сергеевичru
dc.contributor.authorПрокопенко, Юрий Васильевичru
dc.contributor.authorSergienko, Pavlo Yu.en
dc.contributor.authorKazmirenko, Victor A.en
dc.contributor.authorChernov, Artem S.en
dc.contributor.authorProkopenko, Yuriy V.en
dc.date.accessioned2016-11-02T10:55:19Z
dc.date.available2016-11-02T10:55:19Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020060ru
dc.description.abstractenThe paper presents research of quality factor in the micro-mechanically tunable microstrip resonator and its change in response to tuning. In the presented design unloaded quality factor increases about 10% during tuning due to reduction of dielectric loss in substrate’s medium and ohmic loss in metal electrodes. When total loss in the device is relatively small, loss mechanisms contribute additively, so complex effective permittivity can be used to account loss reduction and frequency tuning.en
dc.description.abstractruСтатья посвящена изучению добротности микромеханически перестраиваемых резонаторов и ее изменению при перестройке резонансной частоты. Для рассмотренных в работе резонаторов собственная добротность увеличивается на 10% при перестройке за счет уменьшения диэлектрических потерь в объеме подложки и омических потерь в металле электродов. Потери обоих механизмов аддитивны когда общий уровень потерь в линии намного меньше полезного сигнала, поэтому для расчета значения потерь и перестройки резонансной частоты используется комплексная диэлектрическая проницаемость.ru
dc.format.pagerangeС. 52-60uk
dc.identifier.citationДобротность перестраиваемых микрополосковых резонаторов / П. Ю. Сергиенко, В. А. Казмиренко, А. С. Чернов, Ю. В. Прокопенко // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника. – C. 52–60. – Библиогр.: 11 назв.ru
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347016020060
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/17947
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ «КПИ»ru
dc.publisher.placeКиевru
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2016, Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроникаru
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectмикрополосковая линияru
dc.subjectмикромеханическая перестройкаru
dc.subjectэффективная диэлектрическая проницаемостьru
dc.subjectрезонаторru
dc.subjectпотери электромагнитной энергииru
dc.subjectдобротностьru
dc.subjectmicrostrip transmission lineen
dc.subjectmicro-mechanical tuningen
dc.subjecteffective permittivityen
dc.subjectresonatoren
dc.subjectelectromagnetic energy lossen
dc.subjectquality factoren
dc.subject.udc621.396.69uk
dc.titleДобротность перестраиваемых микрополосковых резонаторовru
dc.title.alternativeQ-Factor of tuned microstrip resonatoren
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2016-02-52.pdf
Розмір:
58.03 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника