Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET
dc.contributor.author | Равиндра Сингх Кушвах | |
dc.contributor.author | Манорама Чаухан | |
dc.contributor.author | Паван Шривастава | |
dc.contributor.author | Шиам Акеше | |
dc.date.accessioned | 2018-10-17T17:15:27Z | |
dc.date.available | 2018-10-17T17:15:27Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.description | Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014120048 | uk |
dc.description.abstractru | На основе анализа проблем технологии полевых транзисторов MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) со структурой металл–окисел–полупроводник на базе технологии двойного или множественного затвора с целью обеспечения адекватного управления затвором была разработана технология FinFET, позволяющая дополнительно уменьшить размеры устройства MOSFET. Применение транзисторов MOSFET с двойным затвором (dual-gate или DG MOSFET) позволяет управлять затвором, а, следовательно, каналом между истоком и стоком более эффективно. Следовательно, многие проявления эффекта короткого канала, такие как под-пороговые колебания, уменьшение дифференциального сопротивления стока в области насыщения или DIBL-эффект (Drain Induced Barier Lowering), ток утечки затвора, пробой и т. д. не возникают с ростом концентрации носителей заряда в канале. Данная работа посвящена анализу особенностей конструкции DG MOSFET, в частности FinFET-структур. Рассмотрены FinFET-структура и 4 варианта ее конструкции: SG, LP, IG и IG/LP. Проведен сравнительный анализ таких параметров, как ток утечки закрытого транзистора, задержка, суммарная потребляемая мощность схемы и шумы для 45 нм технологического процесса с помощью программы Cadence Virtuoso. | uk |
dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке Университета ITM (Гвалиор, Индия) при участии Cadence System Design (Бангалор, Индия) | uk |
dc.format.pagerange | С. 43-51 | uk |
dc.identifier.citation | Равиндра Сингх Кушвах. Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET / Равиндра Сингх Кушвах, Манорама Чаухан, Паван Шривастава, Шиам Акеше // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2014. – Т. 57, № 12 (630). – C. 43–51. – Библиогр.: 17 назв. | uk |
dc.identifier.doi | https://doi.org/10.20535/S0021347014120048 | |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24844 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | НТУУ «КПИ» | uk |
dc.publisher.place | Киев | uk |
dc.source | Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2014, Т. 57, № 12 (630) | uk |
dc.subject | технология FinFET | uk |
dc.subject | низкая мощность | uk |
dc.subject | помехоустойчивость | uk |
dc.subject | эффект короткого канала | uk |
dc.subject | мощность тока утечки | uk |
dc.title | Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- 2014-12-43.pdf
- Розмір:
- 58.18 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
- Первая страница
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 7.74 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: