Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorРавиндра Сингх Кушвах
dc.contributor.authorМанорама Чаухан
dc.contributor.authorПаван Шривастава
dc.contributor.authorШиам Акеше
dc.date.accessioned2018-10-17T17:15:27Z
dc.date.available2018-10-17T17:15:27Z
dc.date.issued2014
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014120048uk
dc.description.abstractruНа основе анализа проблем технологии полевых транзисторов MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) со структурой металл–окисел–полупроводник на базе технологии двойного или множественного затвора с целью обеспечения адекватного управления затвором была разработана технология FinFET, позволяющая дополнительно уменьшить размеры устройства MOSFET. Применение транзисторов MOSFET с двойным затвором (dual-gate или DG MOSFET) позволяет управлять затвором, а, следовательно, каналом между истоком и стоком более эффективно. Следовательно, многие проявления эффекта короткого канала, такие как под-пороговые колебания, уменьшение дифференциального сопротивления стока в области насыщения или DIBL-эффект (Drain Induced Barier Lowering), ток утечки затвора, пробой и т. д. не возникают с ростом концентрации носителей заряда в канале. Данная работа посвящена анализу особенностей конструкции DG MOSFET, в частности FinFET-структур. Рассмотрены FinFET-структура и 4 варианта ее конструкции: SG, LP, IG и IG/LP. Проведен сравнительный анализ таких параметров, как ток утечки закрытого транзистора, задержка, суммарная потребляемая мощность схемы и шумы для 45 нм технологического процесса с помощью программы Cadence Virtuoso.uk
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке Университета ITM (Гвалиор, Индия) при участии Cadence System Design (Бангалор, Индия)uk
dc.format.pagerangeС. 43-51uk
dc.identifier.citationРавиндра Сингх Кушвах. Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET / Равиндра Сингх Кушвах, Манорама Чаухан, Паван Шривастава, Шиам Акеше // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2014. – Т. 57, № 12 (630). – C. 43–51. – Библиогр.: 17 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347014120048
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/24844
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ «КПИ»uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2014, Т. 57, № 12 (630)uk
dc.subjectтехнология FinFETuk
dc.subjectнизкая мощностьuk
dc.subjectпомехоустойчивостьuk
dc.subjectэффект короткого каналаuk
dc.subjectмощность тока утечкиuk
dc.titleРазработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFETuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2014-12-43.pdf
Розмір:
58.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 57, № 12 (630)