Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв В.
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
dc.date.accessioned2012-01-12T12:20:36Z
dc.date.available2012-01-12T12:20:36Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractТема роботи: «Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення». Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. У першому розділі наведено огляд наукової літератури та сформульовані основні напрямки розвитку субмікронної та манометрової електроніки. Другий розділ містить результати розрахунків необхідних для моделювання параметрів для найбільш перспективних напівпровідників АIIIВV (GaAs, InP, GaN) у сильному електричному полі, у тому числі високочастотної та динамічної провідності та її граничної частоти. У третьому розділі описуються розроблені математичні моделі і проаналізовано характеристики гетероструктур щодо швидкодії та їх використання у субмікронних та нанометрових компонентах, включаючи низькорозмірні, зокрема, квантові точки. Запропоновано перспективні структури гетеротранзисторів. У четвертому розділі описана створена під час виконання роботи математична модель резонансно-тунельного діоду (РТД), і наведені результати моделювання для тестової структури РТД. Обґрунтований та обчислений вплив конструктивних параметрів двохбар’єрної квантової системи на електричні характеристики резонансно-тунельного діоду, що може бути використано для оптимізації топології РТД та отримання діодів з наперед заданими властивостями. У п’ятому розділі проаналізовано швидкісні властивості субмікронних гетеротранзисторних структур і виявлено властивості двовимірного електронного газу структури з двома квантовими ямами, наведено двовимірні і аналітичні моделі і проведено розрахунки субмікронних гетеробіполярних транзисторів з урахуванням ефекту саморозігріву.uk
dc.identifierКВНТД 1.2 .12.27.01
dc.identifier№ держреєстрації 0107U002392
dc.identifierІнв. № 0208U004983
dc.identifierД/б №2012-п
dc.identifier.citationДослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2008. - 168 л. + CD-ROM. - Д/б №2012-пuk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/1369
dc.language.isoukuk
dc.rightsЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.uk
dc.subjectнапівпровідникові сполуки АIIIВVuk
dc.subjectчаси релаксаціїuk
dc.subjectмеханізми розсіюванняuk
dc.subjectполе-температурні та поле-швидкісні характеристикиuk
dc.subjectвисокочастотна провідністьuk
dc.subjectрезонансно-тунельний діодuk
dc.subjectгетероперехідuk
dc.subjectквантова ямаuk
dc.subjectквантова точкаuk
dc.subjectнизбкорозмірні структуриuk
dc.titleДослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовленняuk
dc.typeTechnical Reportuk

Файли

Зібрання

Звіти про науково-дослідні роботи (доступ у чит. залі № 6.6 НТБ)