Дослідження методом електронного парамагнітного резонансу карбіду кремнію, опроміненого великими дозами нейтронів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБратусь, В. Я.
dc.contributor.authorМельник, Р. С.
dc.contributor.authorМакеєва, І. М.
dc.contributor.authorРодіонов, В. М.
dc.date.accessioned2020-09-10T10:25:49Z
dc.date.available2020-09-10T10:25:49Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractenThe present paper demonstrates the results of an EPR study of n-type hexagonal 6H- and cubic 3CSiC crystals irradiated with fast neutrons in a dose range of 2⋅10^18–5⋅10^19 cm^−2. We reveal that the negatively charged silicon monovacancy V-Si is a dominant paramagnetic defect. We also observe some changes of intensity and line shape for its EPR spectrum in the dose range and uncover that the introduction rate of this defect is about 1,3 cm^−1. Crucially, we identify a novel EPR spectrum of a defect labeled Ky5 in the cubic SiC crystals irradiated with 1⋅10^19 cm^−2 neutrons, except for the intense signal from V-Si. The spin-Hamiltonian parameters identity for Ky5 and divacancies in the 6H-SiC and 4H-SiC crystals makes it possible to attribute the Ky5 center to the divacancy [VSiVC]0 in the cubic SiC.uk
dc.description.abstractruПредставлены результаты исследования методом ЭПР кристаллов гексагональной 6H-SiC и кубической 3С-SiC модификаций карбида кремния n-типа, облученных быстрыми нейтронами в интервале доз 2⋅10^18–5⋅10^19 см^−2. Выяснено, что основным типом образующихся парамагнитных дефектов является отрицательно заряженная моновакансия кремния V-Si. Для приведенного интервала доз облучения обнаружено изменения интенсивности и формы спектров ЭПР и установлено, что темп генерации этого дефекта составляет около 1,3 см^−1. В облученных дозой нейтронов 1⋅10^19 см^−2 кристаллах кубического SiC, кроме интенсивного сигнала от V-Si, зарегистрирован новый спектр ЭПР от дефекта, названного Ку5. Идентичность параметров спинового гамильтониана для Ку5 и дивакансий в кристаллах 6H-SiC и 4H-SiC позволяет приписать центр Ky5 дивакансии [VSiVC]0 в кубическом SiC.uk
dc.description.abstractukНаведено результати дослідження методом ЕПР кристалів гексагональної 6H-SiC і кубічної 3С-SiC модифікацій карбіду кремнію n-типу, опромінених швидкими нейтронами в інтервалі доз 2∙10^18–5∙10^19 см^-2. Встановлено, що основним типом утворених парамагнітних дефектів є від’ємно заряджена моновакансія кремнію V-Si. У наведеному діапазоні доз опромінення виявлено зміни інтенсивності і форми спектрів ЕПР та визначено, що темп генерації для цього дефекту становить близько 1,3 см^-1. В опромінених дозою нейтронів 1∙10^19 см^-2 кристалах кубічного SiC, крім інтенсивного сигналу від V-Si, зареєстровано новий спектр ЕПР дефекту, названого Ky5. Ідентичність параметрів спінового гамільтоніана для Ky5 та дивакансій у кристалах 6H-SiC і 4H-SiC дає можливість попередньо приписати центр Ky5 дивакансії [VSiVC]0 в кубічному SiC.uk
dc.format.pagerangeС. 125–130uk
dc.identifier.citationДослідження методом електронного парамагнітного резонансу карбіду кремнію, опроміненого великими дозами нейтронів / В. Я. Братусь, Р. С. Мельник, І. М. Макеєва, В. М. Родіонов // Наукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал. – 2009. – № 4(66). – С. 125–130. – Бібліогр.: 17 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/36108
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceНаукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал, 2009, № 4(66)uk
dc.titleДослідження методом електронного парамагнітного резонансу карбіду кремнію, опроміненого великими дозами нейтронівuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2009-4-16.pdf
Розмір:
314.64 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові вісті НТУУ «КПІ»: науково-технічний журнал, № 4(66)