Створення засобів проектування та технології виготовлення інтегральних мікросхем сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСамофалов, Костянтин Григоровичuk
dc.contributor.advisorSamofalov, Kostyantynen
dc.contributor.advisorСамофалов, Константин Григорьевичru
dc.contributor.departmentКафедра обчислювальної технікиuk
dc.contributor.facultyФакультет інформатики та обчислювальної технікиuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
dc.date.accessioned2018-04-11T13:17:48Z
dc.date.available2018-04-11T13:17:48Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractenThe new research technology to deposition of submicron (20-100 nm) ferroelectric thin films (FTF) for acoustic-volatile ferroelectric storage elements. Improved equipment for deposition and etching of FTF on silicon substrates with CMOS structures and construction of cathode with a circular target and disk fragments, which ensures uniform thickness and composition of FTF during their deposition method ion-plazmа sputtering in magnetron-type reactor with closed drift of electrons. An ultrasonic treatment of FTF at the stage of crystallization, which leads to a reduction of the switch, increasing switching and charge storage volume resistance elements. The methods for applying electrodes to the FTF with a substratum of conducting oxides. The mathematical and computer models of storage elements for use in CAD of IC. Processed technological route and made the layout of the experimental design of integrated circuits "universal" memory density and speed 1 Mbit/sm2 a read/writ 30-40 ns, which allows to serve as the operational and long-term volatile storage of electronic systems. Results patent is competitive in terms of technology and implementation of structural devices. Results of the work in the educational process of teaching "Computer Design Basics" and "Computer Architecture", introduced new sections, "Ferroelectric storage device" and "Types and nomenclature of integrated memory chips. The technology and structure of memory cells tested in the business enterprise Microdevices Research Institute, Institute for Nuclear Research and the Institute of Semiconductor Physics NASU towards a design by world standards for semiconductor memory, aimed at solving the current problem of creating a single e-memory computer systems, and the creation of designs memory chips for the domestic industry.uk
dc.description.abstractruРазработана новая опытная технология осаждения субмикронных (20-100 нм) тонких сегнетоэлектрических пленок (ТСП) для энергонезависимых акусто-сегнетоэлектрических запоминающих элементов. Усовершенствовано оборудование для осаждения и травления ТСП на кремниевых подложках с КМОП структурами, а также конструкция катодного узла с кольцевым и дисковым фрагментами мишени, что обеспечивает равномерность толщины и состава ТСП при их осаждении методом ионноплазменного распыления в реакторе магнетронного типа с замкнутым дрейфом электронов. Предложено ультразвуковую обработку ТСП на этапе их кристаллизации, что приводит к уменьшению времени переключения, увеличения заряда переключения и объемного сопротивления запоминающих элементов. Отработан метод нанесения электродов на ТСП с подслоем электропроводящих окислов. Разработаны математические и компьютерные модели запоминающих элементов для использования в САПР ИМС. Отработан технологический маршрут и изготовлен макет экспериментального образца интегральной микросхемы так называемой «универсальной» памяти плотностью 1 Мбит/см2 и быстродействием считывания/записи 30-40 нс, что позволяет выполнять функции как оперативного, так и долговременного энергонезависимого хранения информации электронных систем. Результаты являются патентно конкурентоспособными в части технологии и структурной реализации устройств. Результаты работы внедрены в учебный процесс при преподавании дисциплин "Основы конструирования компьютеров" и "Архитектура компьютеров", введены новые разделы "Сегнетоэлектрические запоминающие устройства" и "Типы и номенклатура интегральных микросхем памяти". Разработанные технология и структуры элементов памяти апробированы на предприятиях ДП НИИ Микро приборов, Институт Ядерных Исследований и Институт Физики полупроводников НАНУ в направлении достижения проектно-конструкторских норм на уровне мировых для полупроводниковой памяти, направлены на решение актуальной проблемы создания единой электронной памяти вычислительных систем, а также создания образцов микросхем памяти для отечественной промышленности.uk
dc.description.abstractukРозроблено нову дослідну технологію осадження субмікронних (20-100 нм) тонких сегнетоелектричних плівок (ТСП) для енергонезалежних акусто-сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів (ЗЕ). Удосконалено обладнання для осадження і травлення ТСП на кремнієвих підкладках з КМОН структурами, а також конструкцію катодного вузла з кільцевим та дисковим фрагментами мішені, що забезпечує рівномірність товщини та складу ТСП при їх осадженні методом іонноплазмового розпилення в реакторі магнетронного типу з замкнутим дрейфом електронів. Запропоновано ультразвукову обробку ТСП на етапі їх кристалізації, що приводить до зменшення часу перемикання, збільшення заряду перемикання та об’ємного опору запам’ятовуючих елементів. Опрацьовано метод нанесення електродів на ТСП з підшарком електропровідних окислів. Розроблено математичні та комп’ютерні моделі запам’ятовуючих елементів для використання в САПР ІМС. Опрацьовано технологічний маршрут та виготовлено макет експериментального зразка інтегральної мікросхеми так званої «універсальної» пам’яті щільністю 1 Мбіт/см2 та швидкодією зчитування/запису 30-40 нс , що дозволяє виконувати функції як оперативного, так і довготривалого енергонезалежного зберігання інформації електронних систем. Результати є патентно конкурентноспроможними в частині технології та структурної реалізації пристроїв. Результати роботи впроваджено у навчальний процес при викладанні дисциплін "Основи конструювання комп’ютерів" та “Архітектура комп’ютерів”, введено нові розділи "Сегнетоелектричні запам’ятовуючі пристрої" та "Типи і номенклатура інтегральних мікросхем пам’яті" . Розроблені технологія і структури елементів пам’яті апробовані на підприємствах ДП НДІ Мікроприладів, Інститут Ядерних досліджень та Інститут Фізики напівпровідників НАНУ в напрямку досягнення проектно-конструкторських норм на рівні світових для напівпровідникової пам’яті, направлені на вирішення актуальної проблеми створення єдиної електронної пам’яті обчислювальних систем, а також створення зразків мікросхем пам’яті для вітчизняної промисловості.uk
dc.format.page4 с.uk
dc.identifier.govdoc0109U001303
dc.identifier.other2231_0
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22753
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectСАПРuk
dc.subjectматематичні моделіuk
dc.titleСтворення засобів проектування та технології виготовлення інтегральних мікросхем сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроївuk
dc.title.alternativeThe creation of the design and manufacture of integrated circuits ferroelectric memoryuk
dc.title.alternativeСоздание средств проектирования и технологии изготовления интегральных микросхем сегнетоэлектрических запоминающих устройствuk
dc.typeTechnical Reportuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2231_0.pdf
Розмір:
168.44 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Анотовані описи звітів про НДР (ОТ)
Анотовані описи завершених науково-дослідних робіт КПІ ім. Ігоря Сікорського