Ідентифікація нелінійних розсіювачів за рівнем однієї гармоніки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЗінченко, Максим
dc.contributor.authorЗіньковський, Юрій Францевич
dc.contributor.authorПрокофьєв, Михайло
dc.contributor.authorЗинченко, Максим
dc.contributor.authorЗиньковский, Юрий Францевич
dc.contributor.authorПрокофьев, Михаил
dc.contributor.authorZinchenko, Maxim
dc.contributor.authorZinkovskiy, Yuriy
dc.contributor.authorProkofiev, Mikhail
dc.date.accessioned2014-09-10T08:28:38Z
dc.date.available2014-09-10T08:28:38Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractenPerspective direction of perfection of nonlinear radio-locators (NR) is research of secondary unmasking features of semiconductor nonlinear scatterers (NS), that directly will improve efficiency of the usage of facilities of nonlinear radar in the process of search of the mortgaged devices in the field of technical guarding. Research of secondary unmasking features becomes possible due to the analysis of internal effects in the semiconductor structures of NS during the action of relative powerful sounding signal (SS) of nonlinear radio-locator. Difficult semiconductor NS during sounding by relatively powerful SS of NR is capable to re-emit in an environment eigen oscillations except from the multiple harmonics of frequency of SS in the case of monoharmonic SS or combinational frequencies in case of biharmonic SS, that in most cases are the aliquant harmonics of frequency of SS of NR. It is related to that during sounding by relatively powerful SS of NR the areas with negative differential resistance, which in combination with present feedbacks give rise to self-excitation of the system, appear on currentvoltage diagram of nonlinear semiconductor structures of NS. Frequency of any aliquant harmonic is a casual value which quickly changes in time, as values of parameters of most elements of the equivalent oscillating system constantly fluctuate at an action of relative powerful ultrahigh field. The appearance of area of looping on functional dependence of level (amplitude) of the second harmonic in the scattered by the NS the response signal from the power-level of SS of NR is the result of the time lag process of generating of aliquant harmonics. The considered property is characteristic only for semiconductor NS, and that is why it can be used for a discovery, identification and localization of NS in a nonlinear radar. The increase of efficiency of the NR usage is achived due to taking to a minimum of meaning of influence of such factors as: being in the investigated medium of obstacle МОМ-structures; subjectivity of operator; presence of parasitic petals of polar pattern radiative antenna (due to limitation of powerlevel of SS of NR).uk
dc.description.abstractruПерспективным направлением совершенствования нелинейных радиолокаторов (НР) является исследование вторичных демаскирующих признаков полупроводниковых нелинейных рассеивателей (НРс), что непосредственно улучшит эффективность использования средств нелинейной радиолокации в процессе поиска закладных устройств. Исследование вторичных демаскирующих признаков становится возможным благодаря анализу внутренних эффектов в полупроводниковых структурах НРс во время действия относительно мощного зондирующего сигнала (ЗС) нелинейного радиолокатора. Сложный полупроводниковый НРс во время зондирования относительно мощным ЗС НР способен переизлучать в окружающую среду кроме кратных гармоник частоты ЗС (в случае моногармонического ЗС или комбинационных частот в случае бигармонического ЗС) собственные колебания, что в большинстве случаев являются некратными гармониками частоты ЗС НР. Это связано с тем, что во время зондирования относительно мощным ЗС НР на ВАХ нелинейных полупроводниковых структур НРс появляются участки с отрицательным дифференциальным сопротивлением, которые в сочетании с присутствующими обратными связями приводят к самовозбуждению системы. Частота любой некратной гармоники является случайной величиной, которая достаточно быстро изменяется во времени, поскольку величины параметров большинства элементов эквивалентной колебательной системы постоянно флуктуируют при действии относительно мощного СВЧ поля. Следствием инерционности процесса генерирования некратных гармоник является появление области петлеобразования на функциональной зависимости уровня (амплитуды) второй гармоники в рассеянном НРс сигнале отклика от уровня мощности ЗС НР. Рассмотренное свойство характерно лишь для полупроводниковых НРс, а потому его можно использовать для обнаружения, идентификации и локализации НРс в нелинейной радиолокации. Повышение эффективности использования НР достигается за счет сведения к минимуму значимости влияния таких факторов как: присутствие в исследуемой среде помеховых МОМ-структур; субъективность оператора; присутствие паразитных лепестков диаграммы направленности излучающей антенны (за счет ограничения уровня мощности ЗС НР).uk
dc.description.abstractukПерспективним напрямком вдосконалення нелінійних радіолокаторів (НР) є дослідження вторинних демаскуючих ознак напівпровідникових нелінійних розсіювачів (НРс), що безпосередньо покращать ефективність використання засобів нелінійної радіолокації в процесі пошуку закладних пристроїв. Дослідження вторинних демаскуючих ознак стає можливим завдяки аналізу внутрішніх ефектів у напівпровідникових структурах НРс під час дії відносно потужного зондуючого сигналу (ЗС) нелінійного радіолокатора. Складний напівпровідниковий НРс під час зондування відносно потужним ЗС НР здатен перевипромінювати у навколишнє середовище крім кратних гармонік частоти ЗС (у випадку моногармонічного ЗС або комбінаційних частот у випадку бігармонічного ЗС) власні коливання, що в більшості випадків є некратними гармоніками частоти ЗС НР. Це пов’язано з тим, що під час зондування відносно потужним ЗС НР на ВАХ нелінійних структур напівпровідникових НРс з’являються ділянки з негативним диференціальним опором, які в поєднанні з присутніми зворотними зв’язками призводять до самозбудження системи. Частота будь-якої некратної гармоніки є випадковою величиною, яка достатньо швидко змінюється в часі, оскільки величини параметрів більшості елементів еквівалентної коливальної системи постійно флуктують при дії відносно потужного НВЧ поля. Наслідком інерційності процесу генерування некратних гармонік є поява області петлеутворення на функціональній залежності рівня(амплітуди) другої гармоніки в розсіяному НРс сигналі відгуку від рівня потужності ЗС НР. Розглянута властивість характерна лише для напівпровідникових НРс, а тому її можна використовувати для виявлення, ідентифікації та локалізації НРс у нелінійній радіолокації. Підвищення ефективності використання НР досягається за рахунок зведення до мінімуму значущостей впливу таких факторів як: присутність у досліджуваному середовищі завадових МОМ-структур; суб’єктивність оператора; присутність паразитних пелюсток діаграми спрямованості випромінюючої антени (за рахунок обмеження рівня потужності ЗС НР).uk
dc.format.pagerangeС. 94-102uk
dc.identifier.citationЗінченко М. Ідентифікація нелінійних розсіювачів за рівнем однієї гармоніки / Максим Зінченко, Юрій Зіньковський, Михайло Прокофьєв // Правове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні : науково-технічний збірник. – 2012. – Вип. 2(24). – С. 94-102. – Бібліогр.: 15 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/8602
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameПравове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні: науково-технічний збірникuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectЗасоби захисту інформаціїuk
dc.subjectнелінійна радіолокаціяuk
dc.subjectнелінійні продуктиuk
dc.subjectсигнал відгукуuk
dc.subjectнекратні гармонікиuk
dc.subject.udc638.235.231uk
dc.titleІдентифікація нелінійних розсіювачів за рівнем однієї гармонікиuk
dc.title.alternativeИдентификация нелинейных рассеивателей по уровню одной гармоникиuk
dc.title.alternativeIdentification of nonlinear scatterers after the level of one harmonicuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
24_p94.pdf
Розмір:
538.55 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Правове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні: науково-технічний збірник, Вип. 2(24)