Дослідження дефектів дислокації в напівпровідникових матеріалах оптичними методами

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПятайкіна, М. І.
dc.contributor.authorСтрілкова, Т. О.
dc.date.accessioned2023-08-13T12:17:14Z
dc.date.available2023-08-13T12:17:14Z
dc.date.issued2023
dc.format.pagerangeС. 45–48uk
dc.identifier.citationПятайкіна, М. І. Дослідження дефектів дислокації в напівпровідникових матеріалах оптичними методами / Пятайкіна М. І., Стрілкова Т. О. // XХIІ Міжнародна науково-технічна конференція “Приладобудування: стан і перспективи”, 16 – 17 травня 2023 р., Київ, Україна : збірник матеріалів конференції. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2023. – С. 45–48. – Бібліогр.: 4 назви.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/59175
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.relation.ispartofXХII Міжнародна науково-технічна конференція "Приладобудування: стан і перспективи", 16–17 травня 2023 р., Київ, Україна : збірник матеріалів конференціїuk
dc.subjectдефекти дислокаційuk
dc.subjectкристалuk
dc.subjectобробка зображеньuk
dc.subjectщільність дислокаційuk
dc.subject.udc681.7:[535.8+62-4]uk
dc.titleДослідження дефектів дислокації в напівпровідникових матеріалах оптичними методамиuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
p45-48.pdf
Розмір:
180.22 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секція 2. Оптичні та оптико-електронні прилади і системи. Фотоніка