Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBodilovska, D. S.
dc.contributor.authorБоділовська, Д. С.
dc.contributor.authorБодиловская, Д. С.
dc.date.accessioned2015-03-17T14:25:52Z
dc.date.available2015-03-17T14:25:52Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractenIn this paper, we have analyzed electric potential distributions in undoped silicon nanowire field-effect transistor (Si-NW FET) with a back-gate configuration covered by organic compound – porphyrin. Specifically we studied the 1D electrostatic potential along the different axes of the Si-NW FET for the subsequent investigation of electron transport characteristics.uk
dc.description.abstractruВ данной работе мы проанализировали распределение электрического потенциала в нелегированном полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода (ПТ с Si-НП) с конфигурацией нижнего затвора, покрытого органическим соединением – порфирином. В частности, мы изучали одномерное распределение электростатического потенциала вдоль различных осей ПТ с Si-НП для последующих изучений характеристик переноса электронов.uk
dc.description.abstractukУ даній роботі ми проаналізували розподіл електричного потенціалу в нелегованому польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу (ПТ з Si-НП) з конфігурацією нижнього затвору, покритого органічним з'єднанням – порфірином. Зокрема, ми вивчали одномірний розподіл електростатичного потенціалу вздовж різних осей ПТ з Si -НП для наступних досліджень характеристик переносу електронів.uk
dc.format.pagerangePp. 9-13uk
dc.identifier.citationBodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 9–13. – Библиогр.: 6 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957
dc.language.isoenuk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectsilicone nanowireen
dc.subjectfield-effect transistoren
dc.subjectporphyrinen
dc.subjectelectric potentialen
dc.subjectкремнієвий нанопровідuk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectпорфіринuk
dc.subjectелектричний потенціалuk
dc.subjectкремниевый нанопроводru
dc.subjectполевой транзисторru
dc.subjectпорфиринru
dc.subjectэлектрический потенциалru
dc.subject.udc621.315.592uk
dc.titleAnalysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistorsuk
dc.title.alternativeАналіз одно- і трьохвимірного розподілу електричного потенціалу в польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу покритого порфіриномuk
dc.title.alternativeАнализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфириномuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
3.pdf
Розмір:
4.32 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)