Вимірювання НВЧ параметрів діелектричних матеріалів методом тонкого діелектричного резонатора

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМолчанов, Віталій Іванович
dc.contributor.authorПашков, Валерій Маркович
dc.contributor.authorТатарчук, Дмитро Дмитрович
dc.contributor.authorФранчук, Антон Сергійович
dc.contributor.authorMolchanov, V. І.
dc.contributor.authorPashkov, V. M.
dc.contributor.authorTatarchuk, D. D.
dc.contributor.authorFranchuk, A. S.
dc.contributor.authorМолчанов, В. И.
dc.contributor.authorПашков, В. М.
dc.contributor.authorТатарчук, Д. Д.
dc.contributor.authorФранчук, А. С.
dc.date.accessioned2016-08-31T12:52:30Z
dc.date.available2016-08-31T12:52:30Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenThe article describes the method of thin dielectric resonator for measuring parameters of microwave dielectric materials, its advantages and disadvantages. It is shown that the proposed method has a high sensitivity and can be used for measuring the dielectric thin films deposited on a substrate.uk
dc.description.abstractruВ статье рассмотрен метод тонкого диэлектрического резонатора для измерения СВЧ параметров диэлектрических материалов, его преимущества и недостатки. Показано, что предложенный метод имеет высокую чуствительность и может быть использован для измерения параметров тонких диэлектрических пленок, нанесенных на подложку.uk
dc.description.abstractukУ статті розглянуто метод тонкого діелектричного резонатора для вимірювання НВЧ параметрів діелектричних матеріалів, його переваги і недоліки. Показано, що запропонований метод має високу чутливість і може бути використаний для вимірювання параметрів тонких діелектричних плівок, нанесених на підкладку.uk
dc.format.pagerangeC. 23-26uk
dc.identifier.citationВимірювання НВЧ параметрів діелектричних матеріалів методом тонкого діелектричного резонатора / В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал. – 2015. – Т. 20, № 1(84). – С. 23–26. – Бібліогр.: 7 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/17458
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameЕлектроніка та зв'язок : науково-технічний журналuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectдіелектрична проникністьuk
dc.subjectтангенс кута діелектричних втратuk
dc.subjectтонкий діелектричний резонаторuk
dc.subjectНВЧ параметриuk
dc.subjectчутливість методуuk
dc.subjectsemiconductor materialsen
dc.subjectthe loss tangenten
dc.subjectthe dielectric permittivityen
dc.subjectthe frequency dependence of lossesen
dc.subjectthe conductivityen
dc.subjectthe quasi-Debye mechanismen
dc.subjectдиэлектрическая проницаемостьru
dc.subjectтангенс угла диэлектрических потерьru
dc.subjectдиэлектрический резонаторru
dc.subjectСВЧ параметрыru
dc.subjectчувствительность методаru
dc.subject.udc621.372.41uk
dc.titleВимірювання НВЧ параметрів діелектричних матеріалів методом тонкого діелектричного резонатораuk
dc.title.alternativeMeasurement of the microwave parameters of the dielectric materials by the method of thin dielectric resonatoruk
dc.title.alternativeИзмерение СВЧ параметров диэлектрических материалов методом тонкого диэлектрического резонатораuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
EiS2015-1_03_Molchanov.pdf
Розмір:
235.08 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 20, № 1(84)