Індентифікаційні ознаки спектрального складу випромінювання демаскуючого розсіювача в нелінійній радіолокації

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВо Зуй Фук
dc.date.accessioned2018-01-25T14:22:21Z
dc.date.available2018-01-25T14:22:21Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractenIt is shown in dissertation, which related to the detection of disabling features of semiconductor dispersers in order to increase the efficiency of the use of nonlinear radars to detect the embedded devices in the field of technical protection of information. The type of radio electronics device has a complex adequate structure of antenna with unsystematized configuration. This “random” antenna qualitatively is ensemble dipole with the different of length and orientation. The elementary dipoles are the drops of radio electronics, track circuit boards, metallized surfaces. By the ratio of the wave length probing signal nonlinear radar, the structures of antenna radio electronics device are classified as “small electrically” (less than an order of magnitude or the wavelength of probing signal is more than) and “commensurate electrically”. Accordingly to the inherence of “small electrically” structure antenna, the effective square of nonlinear scattered of probing signal is small. The influence of the external noise to non-linear scattered could get identification of multiplicative component in the scattered signal, which could create the fictitious signals of recalling even in the absence of probing signal. The frequency of interfering signal could be close to the frequency of the useful signal scattered and get into the receiver band. The fight against external interference is achieved, as a rule, selecting frequency probing signal, improving the possibility of his change and the relevant schematic and design solutions Method of basic functions finding for similarity of the deformed curves detection and a method of the adjusting functions for minimization of an error of approximating function of nonlinear characteristics family were used for it. The current-voltage characteristics of a semiconductor diode in the scattered deformation influences on the detection range of a single broadband mortgaged device simulator in nonlinear radar. Increasing of influencing power level of the probe signal can lead to "visibility reducing" of simulator for nonlinear radar The method of reference parameters for detecting and identifying mortgage devices based on tunnel diodes is developed, which differs by introducing into the normalized space approximating plane of the amplitudes of the signal in the function of the width of the region of negative differential resistance. Universal model of current-voltage characteristics is described, which is described by the parameter - the degree of proximity to the equilibrium state of the semiconductor device, which describes the family of deformed curves of the semiconductor structure in the composition of the diffuser under the influence of a powerful probe signal. Due to the proposed model, the effect of the inversion of a deformation trait is effectively detected and the reliability of the operation of the nonlinear locator is evaluated. The energy dissipation of the probe signal leads to deformation of the current-voltage characteristics of the diode composed of the simulator. Parameter γ is introduced as the degree of closeness to the equilibrium state of the diode, to characterize the degree of current-voltage characteristics deformation during sensing. According to the experimental data normalized approximating function depending on the parameter γ is obtained. Identified the acquisition of unmasking properties of the structure “metal–oxide–metal” by simulator. The resulting distribution of the maximum frequency of the unmasking sign inversion occurrence depending on the normalized voltage value of operating point displacement of the diode composed of the simulator. It is suggested by the ability of nonlinear radar to capture the unmasking sign inversion of the simulator to judge the reliability of embedded devices detection and identification. The reliability of non-linear radar at detection of radio-electronic devices and scatterers of corrosion origin of the type “metal-oxide-metal” (MOM-structures) is investigated. It is revealed that the presence of MOM-structures in the study space substantially impair the reliability of non-linear radar at revealing radio-electronic devices with the “small” non-linear effective area of dispersion of the probing signal. In this case determination of threshold levels of multiple harmonics and their ratios will not improve the efficiency of the non-linear radar use, which is associated with the peculiarities of MOM-structures current-voltage characteristics. The contacts between the metals Al, Cr, Ni have current-voltage characteristics with asymmetry, which are determined by the thickness and area of the oxide. The asymmetry can be of two types – positive and negative. In the case of MOM-structures with a clear current voltage characteristic asymmetry of two types, the efficiency of the use of non-linear radar initially requires a significant decrease of levels of spurious emissions of the transmitting antenna. Universal simulator of a mortgage device with nonlinear load and the possibility of varying the voltage of the working point is developed. Modes of the universal simulator are allowed to reproduce the scattering properties of embedded devices, which make the simulator objective in the certification of nonlinear locators. The reliable detection of electronic objects based on the method of identification by the ratio of levels of the re-emitted harmonics. The proposed certification of nonlinear radar uses the simulator on the basis of two-wire flat spiral antenna with a "controlled" nonlinear load. The simulator has broadband, elliptical polarization and directional power transfer. The scattering parameters of the simulator depend on the bias voltage of the working point and the input voltage of semiconductors.en
dc.description.abstractruВ диссертации показано, связанной с выявлением демаскирующим признаков полупроводниковых рассеивателей с целью увеличения эффективности использования нелинейных радиолокаторов для поиска закладных устройств в сфере технической защиты информации. Разработан метод опорных параметров для обнаружения и идентификации закладных устройств на базе туннельных диодов, который отличается тем, что введена в нормированное пространство аппроксимирующая плоскость амплитуд наведенного сигнала в функции ширины области отрицательного дифференциального сопротивления. Создана универсальная модель вольтамперной характеристик, описывается параметром - степенью близости к равновесному состоянию полупроводникового прибора, которая описывает семейство деформированных кривых полупроводниковой структуры в составе рассеивателя под влиянием мощного зондирующего сигнала. Благодаря предложенной модели эффективно проявляется эффект инверсии демаскирующего признаки и оценивается надежность функционирования нелинейного локатора. Проведенные оценку влияния асимметрии вольтамперной характеристики структур «металл-окисел-металл» на эффективность использования нелинейных локаторов. Разработан универсальный имитатор закладного устройства с нелинейной нагрузкой и возможностью варьирования напряжения рабочей точки. Режимы универсального имитатора позволяют воссоздать рассеивая свойства закладных устройств, что делает имитатор объективным при сертификации нелинейных локаторов.ru
dc.description.abstractukУ дисертації показано, що пов’язана з виявленням демаскуючих ознак напівпровідникових розсіювачів з метою збільшення ефективності використання нелінійних радіолокаторів для пошуку закладних пристроїв у сфері технічного захисту інформації. Розроблено метод опорних параметрів для виявлення та ідентифікації закладних пристроїв на базі тунельних діодів, який відрізняється тим, що введена в нормований простір апроксимуюча площина амплітуд наведеного сигналу в функції ширини області від’ємного диференціального опору. Створена універсальна модель вольт-амперної характеристик, що описується параметром – ступенем близькості до рівноважного стану напівпровідникового приладу, яка описує сімейство деформованих кривих напівпровідникової структури в складі розсіювача під впливом потужного зондуючого сигналу. Завдяки запропонованій моделі ефективно виявляється ефект інверсії демаскуючої ознаки і оцінюється надійність функціонування нелінійного локатора. Проведені оцінку впливу асиметрії вольт-амперної характеристики структур «метал-окисел-метал» на ефективність використання нелінійних локаторів. Розроблено універсальний імітатор закладного пристрою з нелінійним навантаженням і можливістю варіювання напруги робочої точки. Режими універсального імітатора дозволяють відтворити розсіюючи властивості закладних пристроїв, що робить імітатор об'єктивним при сертифікації нелінійних локаторів.uk
dc.format.page27 с.uk
dc.identifier.citationВо Зуй Фук. Індентифікаційні ознаки спектрального складу випромінювання демаскуючого розсіювача в нелінійній радіолокації : автореф. дис. … канд. техн. наук : 05.12.17 - радіотехнічні та телевізійні системи / Во Зуй Фук. – Київ, 2017. – 27 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/21656
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectнелінійна радіолокаціяuk
dc.subjectнелінійний розсіювачuk
dc.subjectсигнал відгукуuk
dc.subjectнелінійні продуктиuk
dc.subjectвольт-амперні характеристики з від’ємним диференціальним опоромuk
dc.subjectnonlinear radaren
dc.subjectnonlinear scattereden
dc.subjectresponse signalen
dc.subjectnonlinear productsen
dc.subjectcurrent voltage characteristics with negative differential resistanceen
dc.subjectнелинейная радиолокацияru
dc.subjectнелинейный рассеивательru
dc.subjectсигнал откликаru
dc.subjectнелинейные продуктыru
dc.subjectвольт-амперные характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлениемuk
dc.subject.udc621.37:621.391]( 043.3)uk
dc.titleІндентифікаційні ознаки спектрального складу випромінювання демаскуючого розсіювача в нелінійній радіолокаціїuk
dc.typeThesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
aref Vo Zui Fuk.pdf
Розмір:
1.2 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Автореферати (КіВРА)
Автореферати (вільний доступ)