Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
dc.contributor.author | Шварц, Юрій Михайлович | |
dc.contributor.author | Яганов, Петро Олексійович | |
dc.contributor.author | Дзюба, Віталій Георгійович | |
dc.date.accessioned | 2022-01-10T10:52:43Z | |
dc.date.available | 2022-01-10T10:52:43Z | |
dc.date.issued | 2005 | |
dc.description.abstracten | We used algorithm of the neuronet approximation of experimental data for the mathematical description of the thermometrical characteristics of the silicon diode temperature sensor. The achieved high accuracy of approximation (1,5 мК) in the temperature range of 4,2-357 K has allowed to remove problems of processing of experimental data of the polynomial method of approximation. | uk |
dc.description.abstractru | Для математического описания термометрических характеристик кремниевых термодиодных сенсоров впервые использован нейросетевой алгоритм аппроксимации экспериментальных данных. Достигнутая высокая точность аппроксимации (1,5 мК) в диапазоне температур 4,2-357 К позволила снять проблемы обработки экспериментальных данных полиномиальным методом аппроксимации. | uk |
dc.description.abstractuk | Для математичного опису термометричних характеристик кремнієвих термодіодних сенсорів вперше використано нейромережевий алгоритм апроксимації експериментальних даних. Досягнута висока точність апроксимації (1,5 мК) у діапазоні температур 4,2-357 К дозволила зняти проблеми обробки експериментальних даних поліноміальним методом апроксимації. | uk |
dc.format.pagerange | С. 18-22 | uk |
dc.identifier.citation | Шварц, Ю. М. Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики діодного сенсора / Шварц Ю. М., Яганов П. А., Дзюба В. Г. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 5. – С. 18-23. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/45804 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Национальный технический университет Украины ''Киевский политехнический институт'' | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.source | Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 5 | uk |
dc.subject | нейронная сеть | uk |
dc.subject | аппроксимация | uk |
dc.subject | термометрическая характеристика | uk |
dc.subject | сенсор | uk |
dc.subject.udc | 536.531 | uk |
dc.title | Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- TKEA_2005_5_P.18-23.pdf
- Розмір:
- 124.64 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.01 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: