Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев
dc.contributor.author | Белоголовский, М. А. | |
dc.contributor.author | Ларкин, С. Ю. | |
dc.contributor.author | Хачатуров, А. И. | |
dc.contributor.author | Хачатурова, Т. А. | |
dc.contributor.author | Білоголовський, М. А. | |
dc.contributor.author | Ларкін, С. Ю. | |
dc.contributor.author | Хачатуров, А. Й. | |
dc.contributor.author | Хачатурова, Т. О. | |
dc.contributor.author | Belogolovskii, M. A. | |
dc.contributor.author | Larkin, S. Y. | |
dc.contributor.author | Khachaturov, A. I. | |
dc.contributor.author | Khachaturova, T. A. | |
dc.date.accessioned | 2013-08-16T10:12:43Z | |
dc.date.available | 2013-08-16T10:12:43Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.description.abstracten | Within the two-band model of an insulator electron structure it is shown that an effect of the valence-band upper-edge effect on the, charge tunneling across nano-scaled layers of a magnetic dielectric results in a striking discrepancy between theoretical and experimental values of the magnetoresistance of double spin filters. It is found that the tunnel magnetoresistance of contacts formed by ferromagnetic Fe electrodes and a two-band insulator radically depends on the position of a chemical potential inside the forbidden gap of a dielectric. | uk |
dc.description.abstractru | В рамках двухзонной модели электронной структуры изолятора показано, что учет влияния верхнего края валентной зоны на туннелирование зарядов сквозь наноразмерные слои магнитного диэлектрика приводит к устранению гигантского расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями магнетосопротивления двойных спиновых фильтров. Установлено, то туннельное магнетосопротивление контактов, образованных ферромагнитными Fe электродами и двухзонным изолятором, радикально зависит от положения химического потенциала внутри запрещенной зоны диэлектрика. | uk |
dc.description.abstractuk | У рамках двозонної моделі електронної структури ізолятора показано, що урахування впливу верхнього краю валентної зони на тунелювання зарядів крізь нанорозмірні шари магнітного діелектрика приводить до усунення гігантської розбіжності між теоретичними й експериментальними значеннями магнетоопору подвійних спінових фільтрів. Встановлено, що тунельний магнетоопір контактів, утворених феромагнітними Fe електродами і двозонним золятором, радикально залежить від положення хімічного потенціалу усередині забороненої зони діелектрика. | uk |
dc.format.pagerange | С. 9-13 | uk |
dc.identifier.citation | Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин, А. И. Хачатуров, Т. А. Хачатурова // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2013. – № 1(72). – С. 9–13. – Библиогр.: 8 назв. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3516 | |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | НТУУ "КПИ" | uk |
dc.publisher.place | Киев | uk |
dc.source | Electronics and Communications : научно-технический журнал, № 1(72) | ru |
dc.status.pub | published | uk |
dc.subject | наноэлектроника | ru |
dc.subject | гетероструктуры | ru |
dc.subject | туннелирование | ru |
dc.subject | зонная структура | ru |
dc.subject | ферромагнетизм | ru |
dc.subject | магнетосопротивление | ru |
dc.subject | наноелектроніка | uk |
dc.subject | гетероструктури | uk |
dc.subject | тунелювання | uk |
dc.subject | зонна структура | uk |
dc.subject | феромагнетизм | uk |
dc.subject | магнетоопір | uk |
dc.subject | nanoelectronics | en |
dc.subject | heterostructures | en |
dc.subject | tunneling | en |
dc.subject | band structure | en |
dc.subject | erromagnetism | en |
dc.subject | magnetoresistance | en |
dc.subject.udc | 621.382:539.292 | uk |
dc.title | Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев | uk |
dc.title.alternative | Тунельні пристрої із двохзонним ізолятором на основі нанорозмірних контактів надпровідних і феромагнітних шарів | uk |
dc.title.alternative | Devices with dual-zone tunnel insulator based on nanoscale super-conducting contacts and ferromagnetic layers | uk |
dc.type | Article | uk |
thesis.degree.level | - | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Белоголовский_1.pdf
- Розмір:
- 209.7 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: