Оптимизация мощности и задержки наноразмерного (4х1)-мультиплексора при использовании схемы удвоителя напряжения на КМОП структурах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДжеин, Пратик
dc.contributor.authorАкеше, Шиам
dc.date.accessioned2018-01-19T10:19:36Z
dc.date.available2018-01-19T10:19:36Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016110017ru
dc.description.abstractruВ статье представлен высокоэффективный (4×1)-мультиплексор с малой утечкой и уменьшенной задержкой, снабженный схемой удвоителя напряжения на МОП-структурах, которая совмещена с расширенной МОП-конфигурацией транзисторов ждущего режима наноразмерной структуры. Оригинальная конструкция схемы удвоителя напряжения реализована в виде дополнительной схемы на выходе предложенной конструкции для ступенчатого увеличения напряжения. Это позволило удвоить выходное пиковое напряжение за счет переходных процессов положительного и отрицательного циклов. Это повышенное напряжение может использоваться в качестве стабилизированного источника питания для определенных целей. Наличие схемы удвоителя напряжения не является достаточным для улучшения общей эффективности предложенной конструкции (4×1)-мультиплексора. Для получения одновременной оптимизации по мощности рассеяния (мощность утечки) и длительности задержки схема удвоителя напряжения используется совместно с расширенной МОП-конфигурацией транзисторов ждущего режима. Для минимизации параметра мощности рассеяния, вызванной утечкой, введена схема удвоителя напряжения на МОП-структурах, совмещенная с расширенной конфигурацией транзисторов ждущего режима. Это позволило уменьшить избыточную мощность рассеяния схемы, обусловленную утечкой. Указанная дополнительная часть схемы позволяет получить необходимый уровень выходного напряжения у предложенного (4×1)-мультиплексора при улучшенных параметрах. Моделирование устройства осуществлялось при использовании технологии 45 нм. В результате мощность рассеяния, обусловленная утечкой, уменьшена до уровня примерно 55%, а характеристика задержки улучшена до требуемого уровня благодаря использованию схемы удвоителя напряжения на МОП-структурах совместно с улучшенной МОП-конфигурацией транзисторов ждущего режима. В статье представлены различные комбинации схемы удвоителя напряжения на МОП-структурах, реализованные на выходе (4×1)-мультиплексора.ru
dc.description.sponsorshipРабота поддержана университетом ITM (Гвалиор) и компанией Cadence System Design (Бангалор)ru
dc.format.pagerangeС. 3-18ru
dc.identifier.citationДжейн, П. Оптимизация мощности и задержки наноразмерного (4х1)-мультиплексора при использовании схемы удвоителя напряжения на КМОП структурах / П. Джейн, Ш. Акаше // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 11 (653). – C. 3–18. – Библиогр.: 13 назв.ru
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347016110017
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/21598
dc.language.isoruru
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоru
dc.publisher.placeКиевru
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2016, Т. 59, № 11 (653)ru
dc.source.urihttp://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016110017
dc.subjectнаноразмерная структураru
dc.subjectсхема удвоителя напряжения на МОП-структурахru
dc.subjectминимизация мощности утечкиru
dc.subjectсхема с малым энергопотреблением на МОП-структурахru
dc.subjectМОП-конфигурацияru
dc.subjectтранзисторы ждущего режимаru
dc.titleОптимизация мощности и задержки наноразмерного (4х1)-мультиплексора при использовании схемы удвоителя напряжения на КМОП структурахru
dc.typeArticleru

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2016-11-03.pdf
Розмір:
94.86 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница, библиогр.
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 59, № 11 (653)