Розробка методів дослідження для визначення НВЧ характеристик новітніх ізотропних й анізотропних діелектричних матеріалів та нанорозмірних плівок
| dc.contributor.advisor | Молчанов, В. І. | |
| dc.contributor.advisor | Molchanov, V. I. | |
| dc.contributor.advisor | Молчанов, В. И. | |
| dc.contributor.degreefaculty | НДІ Прикладної електроніки | uk |
| dc.contributor.researchgrantor | Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-08-01T09:46:21Z | |
| dc.date.available | 2017-08-01T09:46:21Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstracten | The focus is on the study of single crystals for use as substrates for growing them strained monocrystalline nanoscale films. Detailed test method developed thin dielectric resonator shown its advantages and suitability for study of the dielectric properties of anisotropic materials in thin layers. Very thin dielectric substrate, 0.1 mm thick with a dielectric constant ε > 10 can successfully act as a dielectric resonator (DR) and used for the measurement of microwave parameters of the materials by studying the spectra of thin DR. It is very important to measure thin films deposited on the substrate and is particularly important for the measurement of single-crystal substrates, which are mainly used for ferroelectric films with biaxial tensile or compressive stresses. In the case of "thick" films (above 100 nm thick), the stresses are attenuated, so special interest are very thin (20-100 nm), emerging ferroelectric films such as SrTiO3, EuTiO3, etc. Calculation and experiment fully confirmed the possibility of using a thin dielectric resonator for the study of the dielectric properties of thin anisotropic materials in the microwave frequency range. The advantages of this method are obvious - it is possible to measure samples directly without special treatment - standard commercially available single-crystal substrates with dimensions 10х10х(0.1...0.5) mm. These substrates are used to form them thin nanoscale films, including strained. The developed method showed highly significant tenfold increase in the sensitivity of the method compared with counterparts and allows one cycle to measure the effective permittivity and permeability of the anisotropic crystal on the axes, including their temperature dependence. | uk |
| dc.description.abstractru | Основное внимание уделено исследованию монокристаллов предназначенных для использования в качестве подложек для выращивания на них напряженных монокристаллических наноразмерных пленок. Детальное тестирование разработанного метода тонкого диэлектрического резонатора, показало его преимущества и пригодность для исследования диэлектрических характеристик анизотропных материалов в тонких слоях. Очень тонкие диэлектрические подложки, толщиной до 0,1 мм с диэлектрической проницаемостью ε > 10, могут успешно выполнять роль диэлектрического резонатора (ДР) и использоваться для измерений СВЧ параметров материалов, путем исследования спектров тонких ДР. Это очень важно для измерения тонких пленок, нанесенных на подложку и становится особо важным для измерения характеристик монокристаллических подложек, которые в основном используются для получения сегнетоэлектрических пленок с двухосным растягивающим или сжимающим механическим напряжением. В случае "толстых" пленок (выше 100 нм толщиной), механические напряжения ослабляются, поэтому особый интерес представляют очень тонкие (20–100 нм), зарождающиеся сегнетоэлектрические пленки такие как SrTiO3, EuTiO3, и др. Расчет и эксперимент полностью подтвердили возможность применения метода тонкого диэлектрического резонатора для исследования диэлектрических характеристик тонких анизотропных материалов в СВЧ диапазоне частот. Преимущества предложенного метода очевидны – это возможность измерения образцов непосредственно без специальной обработки - стандартных монокристаллических промышленно выпускаемых подложек с размерами 10х10х(0.1...0.5) мм. Такие подложки используются для формирования на них тонких наноразмерных пленок, в том числе напряженных. Разработанный метод показал весьма существенное, в десятки раз, повышение чувствительности метода по сравнению с аналогами и дает возможность в одном цикле проводить измерения эффективной проницаемости и проницаемость анизотропного монокристалла по осям, в том числе их температурные зависимости. | uk |
| dc.description.abstractuk | Основна увага приділена дослідженню монокристалів призначених для використання в якості підкладок для вирощування на них напружених монокристалічних нанорозмірних плівок. Детальне тестування розробленого методу тонкого діелектричного резонатора, показало його переваги та придатність для дослідження діелектричних характеристик анізотропних матеріалів в тонких шарах. Дуже тонкі діелектричні підкладки, завтовшки до 0,1 мм з діелектричною проникністю ε > 10, можуть успішно виконувати роль діелектричного резонатора (ДР) і використовуватися для вимірів НВЧ параметрів матеріалів, шляхом дослідження спектрів тонких ДР. Це дуже важливо для вимірювання тонких плівок, нанесених на підкладку і стає особливо важливим для вимірювання характеристик монокристалічних підкладок, які в основному використовуються для отримання сегнетоелектричних плівок з двовісним розтягувати або стискати механічною напругою. У разі "товстих" плівок (вище 100 нм завтовшки), механічні напруги послаблюються, тому особливий інтерес представляють дуже тонкі (20-100 нм), що зароджуються сегнетоелектричні плівки такі як SrTiO3, EuTiO3, та ін. Розрахунок і експеримент повністю підтвердили можливість застосування методу тонкого діелектричного резонатора для дослідження діелектричних характеристик тонких анізотропних матеріалів у НВЧ діапазоні частот. Переваги запропонованого методу очевидні - це можливість вимірювання зразків безпосередньо без спеціальної обробки - стандартних монокристалічних промислово випускаються підкладок з розмірами 10х10х(0.1...0.5) мм. Такі підкладки використовуються для формування на них тонких нанорозмірних плівок, в тому числі напружених. Розроблений метод показав досить істотне, в десятки разів, підвищення чутливості методу в порівнянні з аналогами і дає можливість в одному циклі проводити вимірювання ефективної проникності і проникність анізотропного монокристала по осях, у тому числі їх температурні залежності. | uk |
| dc.format.page | 3 с. | uk |
| dc.identifier | 2432-п | |
| dc.identifier.govdoc | 0111U003086 | |
| dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/20161 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | НТУУ «КПІ» | uk |
| dc.publisher.place | Київ | uk |
| dc.status.pub | published | uk |
| dc.subject | метод тонкого діелектричного резонатора | uk |
| dc.title | Розробка методів дослідження для визначення НВЧ характеристик новітніх ізотропних й анізотропних діелектричних матеріалів та нанорозмірних плівок | uk |
| dc.title.alternative | Research methods development and definitions of the microwave characteristics of the latest isotropic and anisotropic materials and nanoscale films | uk |
| dc.title.alternative | Разработка методов исследования для определения СВЧ характеристик новейших изотропных и анизотропных диэлектрических материалов и наноразмерных пленок | uk |
| dc.type | Technical Report | uk |
| thesis.degree.level | - | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 7.8 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: