Дослідження чутливих структур наноструктурований кремній – меланін. Дослідження можливості створення сенсорів на гетеропереході por-Si — melaninистання ємнісних датчиків у якості датчиків присутності
Вантажиться...
Дата
2020
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Метою роботи є дослідження вольт-амперних характеристик структур пористий кремній – меланін
та чутливості структур до глюкози, порівняння характеристик досліджуваних зразків. Об’єкт дослідження – структури пористий кремній – меланін. Предмет дослідження – зміна електрофізичних параметрів в залежності від
зміни концентрації аналіту. В роботі було виміряно вольт-амперні характеритики досліджуваних зразків, розраховано такі параметри як: опір структури, коефіцієнт випрямлення на контакті пористий кремній – меланін, коефіцієнт випрямлення на контакті підкладка – меланін, чутливість до глюкози. Резистивні структури меланін – наноструктурований кремній є чутливими до глюкози. В роботі не було відмічено чіткої кореляції між чутливістю,
випрямляючими властивостями та технологією отримання зразків, проте найбільш стабільні результати були
отримані для структур, виготовлених з використанням срібла.
Опис
Ключові слова
наноструктура, пористий кремній, меланін, наноструктурований чутливий шар, глюкоза, аналіт, чутливість до глюкози, коефіцієнт випрямлення, вольт-амперні характеристики, nanostructure, porous silicon, melanin, nanostructured sensitive layer, glucose, analyte, glucose sensitivity, rectification factor, current-voltage characteristics
Бібліографічний опис
Волинський, Д. П. Дослідження чутливих структур наноструктурований кремній – меланін. Дослідження можливості створення сенсорів на гетеропереході por-Si — melanin / Волинський Д. П. // Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал. – 2020. – Т. 3, № 1. – С. 5-9. – Бібліогр.: 5 назв.