Радиационно чувствительный детектор на основе полевых транзисторов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВикулин, Иван Михайлович
dc.contributor.authorГорбачев, Виктор Эдуардович
dc.contributor.authorНазаренко, Александр Аскольдович
dc.date.accessioned2018-02-06T08:31:46Z
dc.date.available2018-02-06T08:31:46Z
dc.date.issued2017
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017090035uk
dc.description.abstractruЭкспериментально исследована возможность создания детекторов радиации на основе полевых транзисторов. В качестве информационного параметра выбран ток насыщения транзистора. По данным эксперимента наблюдается уменьшение тока насыщения стока полевых транзисторов с p–n-переходом в качестве затвора после радиационного облучения. В МОП полевых транзисторах при радиационном дефектообразовании конкурируют два эффекта, поэтому результат радиационного воздействия значительно зависит от электрофизических свойств транзисторов до облучения и от поглощенной дозы облучения. Показано, что начиная с определенных значений поглощенной дозы облучения у всех образцов с малыми значениями концентрации электронов в канале ток насыщения увеличивается с увеличением поглощенной дозы облучения, а у всех образцов с большими значениями концентрации электронов в канале — уменьшается. Полученные зависимости тока насыщения стока полевых транзисторов от дозы радиационного облучения позволили разработать простую конструкцию детектора малых уровней радиации. Для уменьшения влияния температурных флуктуаций в датчике использована схема измерительного моста. Путем использования двух пар полевых транзисторов с противоположным знаком радиационной чувствительности чувствительность такого детектора увеличивается в несколько раз.uk
dc.format.pagerangeС. 515-520uk
dc.identifier.citationВикулин, И. М. Радиационно чувствительный детектор на основе полевых транзисторов / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, А. А. Назаренко // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2017. – Т. 60, № 9 (663). – C. 515–520. – Библиогр.: 12 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347017090035
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/21745
dc.language.isoruuk
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоuk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2017, Т. 60, № 9 (663)uk
dc.subjectдетектор радиацииuk
dc.subjectполевой транзисторuk
dc.subjectмостовая схемаuk
dc.subjectрадиационная чувствительностьuk
dc.subject.udc621.383.8uk
dc.titleРадиационно чувствительный детектор на основе полевых транзисторовuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2017-09-515.pdf
Розмір:
64.19 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница, библиогр.
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 60, № 9 (663)