Вплив дефектів структури на оптичне поглинання у фосфіді галію

dc.contributor.authorКонорева, О. В.
dc.contributor.authorПавленко, Ж. А.
dc.contributor.authorТартачник, В. П.
dc.contributor.authorПінковська, М. Б.
dc.contributor.authorKonoreva, O.
dc.contributor.authorPavlenko, Zh.
dc.contributor.authorTartachnyk, V.
dc.contributor.authorPinkovs’ka, M.
dc.contributor.authorКонорева, О. В.
dc.contributor.authorПавленко, Ж. А.
dc.contributor.authorТартачник, В. П.
dc.contributor.authorПинковская, М. Б.
dc.date.accessioned2014-09-01T11:19:34Z
dc.date.available2014-09-01T11:19:34Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractenInfluence of radiation defects, induced with reactor’s fast neutrons (E = 1 MeV) and electrons (E = 50 MeV) on near edge absorption of CZ GaP crystals doped by Te. It was found the shift of the absorption edge toward the less quant energy region and the absorption curve slope change. The destruction of the main absorption band is caused by the increase of the intensity of indirect transitions among zones’ tailes.uk
dc.description.abstractruИсследовалось влияние радиационных дефектов, введенных быстрыми нейтронами реактора и электронами с Е = 50 МеВ на околокраевое оптическое поглощение кристаллов GaP, выращенных за Чохральским и легированных Те. Обнаружен сдвиг края поглощения в область меньших энергий квантов и изменение его наклона. Деструкция основной полосы поглощения обусловлена ростом интенсивности непрямых переходов между хвостами зон.uk
dc.description.abstractukДосліджувався вплив радіаційних дефектів, введених швидкими нейтронами реактора та електронами з Е = 50 МеВ на білякрайове оптичне поглинання кристалів GaP, вирощених за Чохральським і легованих Те. Виявлено зсув краю поглинання в область менших енергій квантів та зміну його нахилу. Деструкція основної смуги поглинання обумовлена зростанням інтенсивності непрямих переходів між хвостами зон.uk
dc.format.pagerangeС. 78–84uk
dc.identifier.citationВплив дефектів структури на оптичне поглинання у фосфіді галію / О. В., Конорева Ж. А. Павленко, В. П. Тартачник, М. Б. Пінковська // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2009. – Вип. 38. – С. 78–84. – Бібліогр.: 13 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/8490
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subject.udc612.315.592uk
dc.titleВплив дефектів структури на оптичне поглинання у фосфіді галіюuk
dc.title.alternativeInfluence of the structure defects on optical absorption in gallium phosphideuk
dc.title.alternativeВлияние дефектов структуры на оптическое поглощение у GaPuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
r62.pdf
Розмір:
285.13 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: