Розрахунок властивостей матеріалів з карбіду кремнію (SiC) методом молекулярної динаміки
Вантажиться...
Дата
2025
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
У даній роботі було зроблено літературний огляд застосування методу молекулярної динаміки (МД) для визначення теплових та електричних властивостей матеріалів з карбіду кремнію (SiC). Розглянуто моделі потенціалів взаємодії в SiC та області їх використання. Також була розглянуто питання моделювання методом МД процесу осадження SiC на кремнієву підкладку з метою покращення передбачення параметрів росту тонких плівок. Розглянуті аспекти можуть мати великий вплив на якість напівпровідникових приладів, тому дана тема є досить актуальною в напівпровідниковій індустрії.
Опис
Ключові слова
Карбід кремнію, Молекулярна динаміка, Моделювання, Теплові та електричні властивості
Бібліографічний опис
Кондрахін, М. В. Розрахунок властивостей матеріалів з карбіду кремнію (SiC) методом молекулярної динаміки / М. В. Кондрахін, А. В. Гільчук // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXIII Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, [Київ], 14−17 травня 2025 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2025. – С. 44-49.