Мікроелектронні сенсори на основі кремнієвих p-n переходів
dc.contributor.author | Борисов, Олександр Васильович | |
dc.contributor.author | Яганов, Петро Олексійович | |
dc.date.accessioned | 2022-12-07T07:53:54Z | |
dc.date.available | 2022-12-07T07:53:54Z | |
dc.date.issued | 2017 | |
dc.description.abstractuk | З’ясовано особливості функціонування p-n переходів у нерівноважному стані, наведено фізичне обґрунтування ефективності використання електричних та фотоелектричних властивостей кремнієвих p-n переходів у мікроелектронних вимірювальних перетворювачах неелектричних величин, подано конструкторсько-технологічну реалізацію багатосенсорної мікроелектронної кремнієвої структури з діелектричною ізоляцією та розглянуто її властивості. Представлено методи моделювання метрологічних характеристик сенсорів на основі регресійного аналізу та технологій нейронних мереж | uk |
dc.format.page | 174 с. | uk |
dc.identifier.citation | Борисов, О. В. Мікроелектронні сенсори на основі кремнієвих р-п переходів [Електронний ресурс] : навч. посіб. для студ. спеціальності 153 «Мікро- та наносистемна техніка» спеціалізації «Мікроелектронні інформаційні системи», «Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої», спеціальності 172 «Телекомунікація та радіотехніка» спеціалізації «Інформаційно-обчислювальні засоби електронних систем» / О. В. Борисов, П. О. Яганов ; КПІ ім. Ігоря Сікорського. - Електронні текстові данні (1 файл: 21.86 Мбайт). - Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2017. - 174 с. - Назва з екрана. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/51264 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | Мікроелектроніка | uk |
dc.subject | вимірювальні перетворювачі | uk |
dc.subject | твердотільна електроніка | uk |
dc.subject | оптоелектроніка | uk |
dc.subject | моделі | uk |
dc.subject | регресія | uk |
dc.subject | нейронні мережі | uk |
dc.subject.udc | 681.586:621.382.049.77 | uk |
dc.title | Мікроелектронні сенсори на основі кремнієвих p-n переходів | uk |
dc.type | Methodical Material | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Mikroelektronni_sensory.pdf
- Розмір:
- 21.35 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: