Simulation of transient processes in low-frequency channel of the semiconductor regulated compensator

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorLevon, Olena O.
dc.contributor.authorЛевон, О. О.
dc.contributor.authorЛевон, Е. А.
dc.date.accessioned2017-08-03T11:10:22Z
dc.date.available2017-08-03T11:10:22Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractenThe simulation of transient processes in low-frequency channel of the semiconductor two-channel regulated compensator of inactive components of total power is presented in given article. New control methods for two-channel compensator that allow to provide a high performance of the converter in the changing character of the load are proposed. Conclusions of obtained results are presented.uk
dc.description.abstractruВ статье рассмотрено моделирование переходных процессов в низкочастотном канале полупроводникового двухканального регулируемого компенсатора неактивних составляющих полной мощности. Предложены методы прогнозного управления двухканальным компенсатором, которые позволяют обеспечить высокие динамические характеристики компенсатора при изменении характера нагрузки. Представлены результаты моделирования, сделаны выводы.uk
dc.description.abstractukУ статті розглянуто моделювання перехідних процесів в низькочастотному каналі напівпровідникового двоканального регульованого компенсатора неактивних складових повної потужності. Запропоновано методи прогнозного керування двоканальним компенсатором, які дозволяють забезпечити високі динамічні характеристики компенсатора при зміні характеру навантаження. Представлені результати моделювання, зроблені висновки.uk
dc.format.pagerangePp. 38-42uk
dc.identifier.citationLevon O. Simulation of transient processes in low-frequency channel of the semiconductor regulated compensator / O. Levon // Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал. – 2016. – Т. 21, № 5(94). – С. 38–42. – Бібліогр.: 7 назв.uk
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.20535/2312-1807.2016.21.5.81891
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/20192
dc.language.isoenuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceЕлектроніка та зв'язок : науково-технічний журнал, Т. 21, № 4(95)uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectpower electronicsuk
dc.subjectreactive power controluk
dc.subjectactive power filteruk
dc.subjectthyristor binary compensatoruk
dc.subjectсилова електронікаuk
dc.subjectконтроль реактивної потужностіuk
dc.subjectсиловий активний фільтрuk
dc.subjectдвомостовий тиристорний випрямлячuk
dc.subjectсиловая электроникаuk
dc.subjectконтроль реактивной мощностиuk
dc.subjectсиловой активный фильтрuk
dc.subjectдвухмостовой тиристорный выпрямительuk
dc.subject.udc621.314.26uk
dc.titleSimulation of transient processes in low-frequency channel of the semiconductor regulated compensatoruk
dc.title.alternativeМоделювання перехідних процесів у низькочастотному каналі напівпровідникового регульованого компенсатораuk
dc.title.alternativeМоделирование переходных процессов в низкочастотном канале полупроводникового регулируемого компенсатораuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.levelmasteruk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
EiS2016-5_6Levon.pdf
Розмір:
802.06 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 21, № 5(94)