Інфрачервона термографія сонячних елементів, нагрітих темновим струмом

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБожко, К. М.
dc.contributor.authorДунаєвський, В. І.
dc.contributor.authorКотовський, В. Й.
dc.contributor.authorМаслов, В. П.
dc.contributor.authorПорєв, В. А.
dc.contributor.authorBozhko, K. M.
dc.contributor.authorDunaevskiy, V. I.
dc.contributor.authorKotovskiy, V. I.
dc.contributor.authorMaslov, V. P.
dc.contributor.authorPorev, V. A.
dc.contributor.authorБожко, К. М.
dc.contributor.authorДунаевский, В. И.
dc.contributor.authorКотовский, В. И.
dc.contributor.authorМаслов, В. П.
dc.contributor.authorПорев, В. А.
dc.date.accessioned2014-01-19T08:44:41Z
dc.date.available2014-01-19T08:44:41Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractenInfrared thermography allows you to measure the temperature field of solar cells and on local places of high temperature monitor for defects. The peculiarity of the proposed method was heating solar cells reverse dark current from an external source. The method is applied to individual solar cells made of crystalline silicon. The temperature distribution on the surface of the solar cell is uneven presence of defects. Areas defects have higher conductivity and heated to a higher temperature than the bulk of the wafer. The average temperature of the heated surface is about 313 K. The thermal image have dimensions 320x232 pixels and can localize the defect with an accuracy of 0.25 mm. Here the temperature sensitivity of temperature recorder is 0.07 K. The method can be used to search for defects, such as electrical breakdown of the pn-junction which are resistive in nature. We also consider the significant limitations of the previous method, which operates on the basis of a direct heating solar cell dark current. Approved method for locating places of defects on the surface of the thermal images based solar cell.uk
dc.description.abstractruИнфракрасная термография позволяет измерять температурное поле солнечных элементов и по локальным местам с повышенной температурой контролировать наличие дефектов. Особенностью предложенного метода стал нагрев солнечных элементов обратным темновым током от внешнего источника. Метод применен для отдельных солнечных элементов, изготовленных из кристаллического кремния. Распределение температуры на поверхности солнечного элемента является неравномерным при наличии дефектов. Области дефектов имеют повышенную проводимость и нагреваются до более высокой температуры, чем основной массив кремниевой пластины. Средняя температура нагретой поверхности составляет примерно 313 К. Полученные термограммы имеют размеры 320х232 пиксел и позволяют локализовать дефект с точностью 0,25 мм. При этом температурная чувствительность термографа составляет 0,07 К. Предложенный метод можно применять для поиска дефектов типа электрического пробоя pn- перехода, которые имеют резистивный характер. Рассмотрены также существенные ограничения предыдущего метода, который действует на основе нагрева солнечных элементов прямым темновым током. Апробирована методика локализации мест дефектов на основе термограмм поверхности солнечного элемента.uk
dc.description.abstractukІнфрачервона термографія дозволяє вимірювати температурне поле сонячних елементів і за локальними місцями із підвищеною температурою контролювати наявність дефектів. Особливістю запропонованого методу є нагрівання сонячних елементів зворотним темновим струмом від зовнішнього джерела. Метод застосовано для окремих сонячних елементів, виготовлених із кристалічного кремнію. Розподіл температури на поверхні сонячного елементу є нерівномірним при наявності дефектів. Осередки дефектів мають підвищену провідність і нагріваються більше, ніж основний масив кремнієвої пластини. Середня температура нагрітої поверхні становить приблизно 313 К. Отримані термограми мають розміри 320х232 піксел і дозволяють локалізувати дефект з точністю 0,25 мм. При цьому температурна чутливість термографа дорівнює 0,07 К. Запропонований метод можна застосовувати для пошуку дефектів типу електричного пробою pn- переходу, які мають резистивний характер. Розглянуто також суттєві обмеження попереднього методу, який діє на основі нагрівання сонячних елементів прямим темновим струмом. Апробовано методику локалізації місць дефектів кристалічного кремнію за термограмами поверхні сонячного елементу.uk
dc.format.pagerangeС. 56-63uk
dc.identifier.citationІнфрачервона термографія сонячних елементів, нагрітих темновим струмом / Божко К. М., Дунаєвський В. І., Котовський В. Й., Маслов В. П., Порєв В. А. // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2013. – Вип. 46. – С. 56–63. – Бібліогр.: 4 назви.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/6535
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectінфрачервона термографіяuk
dc.subjectсонячний елементuk
dc.subjectтемновий струмuk
dc.subjectinfrared thermographyuk
dc.subjectsolar celluk
dc.subjectdark currentuk
dc.subjectинфракрасная термографияuk
dc.subjectсолнечный элементuk
dc.subjectтемновой токuk
dc.subject.udc519.713uk
dc.titleІнфрачервона термографія сонячних елементів, нагрітих темновим струмомuk
dc.title.alternativeInfrared thermography solar cells, heat the dark currentuk
dc.title.alternativeИнфракрасная термография солнечных элементов, нагретых темновым токомuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
r5_1.pdf
Розмір:
259.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових праць, Вип. 46