Теоретичні та експериментальні основи створення нового класу сенсорів терагерцового діапазону
dc.contributor.advisor | Богорош, Олександр Терентійович | |
dc.contributor.advisor | Bohorosh, А. T. | en |
dc.contributor.degreedepartment | Кафедра прикладної фізики | uk |
dc.contributor.degreefaculty | Фізико-технічний інститут | uk |
dc.contributor.researchgrantor | Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» | uk |
dc.date.accessioned | 2017-02-08T10:31:27Z | |
dc.date.available | 2017-02-08T10:31:27Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.description.abstracten | An algorithm for computer simulation of molecular dynamics. Recommended method for studying nanosystems based on the results of molecular analysis - dynamic analysis of the basic properties of nanomaterials. Recommended method for determining the spatial distribution of polarization in dielectrics active nanolayers. The technique of describing the processes of nucleation and growth of artificial nanodomenov. To analyze the size effects built microscopic model intracluster atomic dynamics of the sensitive layer of the sensor. The dependence of the internal energy of the cluster when the state of the substance. The resulting dynamic characteristics of the clusters with a variable number of atoms. Developed a thermodynamic model of the cluster material sensor. The calculations nanodomenov education, limiting density of their formation. This allows you to select the optimum conditions for the formation of stable arrays nanodomenov and determine the conditions of their individual switching elements. Making measurements of nanostructures pyroelectric materials, obtained three-dimensional image of the surface. To measure nanostructures pyroelectric materials recommended technique using methods of atomic force microscopy. Special methods of image processing to obtain information about the crystallographic surface nanolayers. The technique of imaging nanoparticles with an electron microscope, is recommended technique of reconstructing their structure. Recommended method descriptions polar-active properties of ferroelectrics- semiconductors with charged defects. The technological procedure for the preparation of nanocomposite layers based on active dielectrics that serve as sensing elements and define the basic parameters of terahertz sensors. | en |
dc.description.abstractru | Разработан алгоритм компьютерного эксперимента методом молекулярной динамики. Рекомендован метод исследования наносистем на основе анализа результатов молекулярно - динамического расчета основных свойств наноматериалов. Рекомендован метод определения пространственного распределения поляризации в нанослоях активных диэлектриков. Создана методика описания процессов зарождения и роста искусственных нанодоменов. Для анализа размерных эффектов построена микроскопическая модель внутрикластерной атомной динамики чувствительного слоя сенсора. Получена зависимость внутренней энергии кластера при изменении состояния вещества. Полученны динамические характеристики кластеров с переменным числом атомов. Разработана термодинамическая модель кластера материала сенсора. Проведенные вычисления образования нанодоменов, предельной плотности их формирования. Это позволяет выбрать оптимальные условия формирования массивов стабильных нанодоменов и определить условия переключения их отдельных элементов. Проведенны измерения наноструктур пироэлектрических материалов, получено трехмерное изображение их поверхности. Для измерения наноструктур пироэлектрических материалов рекомендована методика с применением методов атомно-силовой микроскопии. Разработаны специальные методы обработки изображений для получения кристаллографической информации о поверхности нанослоев. Разработана методика обработки изображений наночастиц с электронного микроскопа, рекомендована методика реконструкции их структуры. Рекомендована методика описания полярно-активных свойств сегнетоэлектриков - полупроводников с заряженными дефектами. Разработана технологическая методика получения нанокомпозитных слоев на основе активных диэлектриков, которые выполняют функцию чувствительных элементов и определяют основные параметры сенсоров терагерцового диапазона. | ru |
dc.description.abstractuk | Розроблено алгоритм комп'ютерного експерименту методом молекулярної динаміки. Отримано метод дослідження наносистем на основі аналізу результатів молекулярно-динамічного розрахунку основних властивостей наноматеріалів. Рекомендовано метод визначення просторового розподілу поляризації в наношарах активних діелектриків. Запропонована методика опису процесів зародження та зростання штучних нанодоменів. Для аналізу розмірних ефектів побудована мікроскопічна модель внутришньокластерної атомної динаміки чутливого шару сенсору. Виявлена залежність внутрішньої енергії кластеру при зміні стану речовини. Отримані динамічні характеристики кластерів зі змінною кількістю атомів. Розроблена термодинамічна модель кластера матеріалу сенсора. Проведені обчислення утворення нанодоменів та граничної густини їх формування, які дозволяють вибрати оптимальні умови формування масивів стабільних нанодоменів та перемикання їх окремих елементів. Проведені вимірювання наноструктур піроелектричних матеріалів, результатами яких є тривимірне зображення поверхні. Для вимірювання наноструктур піроелектричних матеріалів запропонована методика із застосуванням методів атомно - силової мікроскопії. Розроблені спеціальні методи обробки зображень для отримання кристалографічної інформації про поверхню наношарів. Розроблена методика обробки зображень наночастинок з електронного мікроскопу та реконструкції їх структури. Рекомендовано методику для опису полярно-активних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників із зарядженими дефектами. Розроблена технологічна методика отримання нанокомпозитних шарів на основі активних діелектриків, які є виконують функцію чутливого елемента і визначають основні параметри сенсорів терагерцового діапазону. | uk |
dc.format.page | 7 c. | uk |
dc.identifier | 2412-ф | |
dc.identifier.govdoc | 0111U002508 | |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/18747 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | НТУУ «КПІ» | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.status.pub | published | uk |
dc.subject | нанодомени | uk |
dc.subject | термодинамічні моделі | uk |
dc.subject | штучни нанодомени | uk |
dc.subject | піроелектричні матеріали | uk |
dc.title | Теоретичні та експериментальні основи створення нового класу сенсорів терагерцового діапазону | uk |
dc.title.alternative | Theoretical and experimental basis for the creation of a new class of sensors terahertz range | uk |
dc.title.alternative | Теоретические и экспериментальные основы создания нового класса сенсоров терагерцового диапазона | uk |
dc.type | Technical Report | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 7.65 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: