Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГетьман, Андрій Володимирович
dc.contributor.authorДушейко, Михайло Григорович
dc.contributor.authorІващук, А. В.
dc.contributor.authorФадєєв, М. С.
dc.contributor.authorЯкименко, Ю. І.
dc.contributor.authorGetman, A. V.
dc.contributor.authorDushejko, M. G.
dc.contributor.authorIvashuk, A. V.
dc.contributor.authorFadieiev, M. S.
dc.contributor.authorYakimenko, Yu. I.
dc.contributor.authorГетман, А. В.
dc.contributor.authorДушейко, М. Г.
dc.contributor.authorИващук, А. В.
dc.contributor.authorФадеев, М. С.
dc.contributor.authorЯкименко, Ю. И.
dc.date.accessioned2016-09-07T14:49:25Z
dc.date.available2016-09-07T14:49:25Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenIn that paper were presented results of the development and research of the silicon space solar cells. Nowadays the A3B5 multilayer solar cells is actively developed in the sphere of constructing of the spacecraft power supply systems, as well as for the low-orbit applications the silicon solar cells usage is still expedient. Research was performed on the solar cells with the n+ - p - p+ structure. Silicon solar cells were exposed to the electron flux with energy 7 MeV. The accelerated electron flux density was 3·108 cm-2s-1 in the atmosphere. Absorbed radiation dose was up to 100 krad (Si).uk
dc.description.abstractruВ данной работе представлены результаты разработки и проведения исследования кремниевых солнечных элементов космического применения. В сфере разработки энергосистем для космических аппаратов сейчас активно развиваются солнечные элементы на основе А3В5 многослойных структур, однако для невысоких орбит 700 - 800 км, целесообразным остается применение кремниевых солнечных элементов. Исследования на радиационную стойкость проводились на солнечных элементах со структурой n+ - p - p+. Кремниевые солнечные элементы подвергались облучению электронами с энергию 7МеВ. Плотность потока ускоренных электронов составляла 3.0E + 8 см-2 с-1 в атмосфере. Накопленная доза радиации составляла 100 крад (Si). Полученные результаты сравнивались с предыдущими экспериментами проведенными в лаборатории.uk
dc.description.abstractukВ даній роботі представлені результати розробки та проведення дослідження кремнієвих сонячних елементів космічного застосування. У сфері розробки енергосистем для космічних апаратів зараз активно розвиваються сонячні елементи на основі А3В5 багатошарових структур, проте для невисоких орбіт 700 - 800 км, доцільним залишається застосування кремнієвих сонячних елементів. Дослідження на радіаційну стійкість проводились на сонячних елементах із структурою n+ - p - p+. Кремнієві сонячні елементи піддавались опроміненню електронами з енергію 7МеВ. Щільність потоку прискорених електронів складала 3,0E+8 см-2с-1 в атмосфері. Накопичена доза радіації складала 100 крад (Si). Отримані результати порівнювались із попередніми експериментами проведеними в лабораторії.uk
dc.format.pagerangeС. 23-26uk
dc.identifier.citationРадіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача / А. В. Гетьман, А. В. Гетьман, А. В. Іващук, М. С. Фадєєв, Ю. І. Якименко // Електроніка та зв'язок : науково-технічний журнал. – 2015. – Т. 20, № 2(85). – С. 23–26. – Бібліогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/17524
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameЕлектроніка та зв'язок : науково-технічний журналuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectсонячний елементuk
dc.subjectрадіаційна стійкістьuk
dc.subjectчас життя носіїв зарядуuk
dc.subjectкремнієва пластинаuk
dc.subjectsolar cellen
dc.subjectphoto-voltaic converteren
dc.subjectradiation hardnessen
dc.subjectcarrier lifetimeen
dc.subjectsilicon waferen
dc.subjectсолнечный элементru
dc.subjectрадиационная стойкостьru
dc.subjectвремя жизни носителей зарядаru
dc.subjectкремниевая пластинаru
dc.subject.udc621.315uk
dc.titleРадіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювачаuk
dc.title.alternativeРадиационная устойчивость кремниевого фотопреобразователяuk
dc.title.alternativeRadiation resistance of silicon solar celluk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
EiS2015-2_03_Getman.pdf
Розмір:
205.11 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Електроніка та зв'язок: науково-технічний журнал, Т. 20, № 2(85)