Методи та моделі побудови запам'ятовуючих пристроїв з використанням нано- і молекулярних технологій

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorХодаковський, Микола Іванович
dc.date.accessioned2019-09-11T11:38:48Z
dc.date.available2019-09-11T11:38:48Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionРобота виконана в відділі сенсорних пристроїв, систем і технологій безконтактної діагностики Інституту кібернетики імені В.М. Глушкова Національної академії наук України.
dc.description.abstractenThe dissertation is devoted to solving the scientific and applied problem of constructing storage devices using nanoscale and molecular technologies by developing a new class of storage devices with super-high density of recording of information based on methods and models of new and improved existing methods of solid state electronics. Methods of constructing storage devices using scanning tunneling lithography, local probe oxidation using atomic force lithography, technologies for the creation of memristor nanoelectronic structures and the recording of information on molecular carriers, in particular peptide structures and structures of molecular electronics using nucleic acids, have been developed. The developed methods, models and methods for developing memory and ultra-high density recording devices can be used to process technological processes for their production. New scientific and technological solutions provide an increase in the recording density of 1–2 orders of magnitude when creating memory structures and devices based on them.uk
dc.description.abstractruДиссертация посвящена решению научно-прикладной проблемы построения запоминающих устройств с использованием нано- и молекулярных технологий путем разработки нового класса запоминающих устройств с сверхвысокой плотностью записи информации на основе методов и моделей новых и усовершенствовании существующих методов твердотельной электроники с применением сканирующей туннельной литографии, локального анодного окисления, технологий создания мемристорних наноэлектронных структур и на основе записи информации на молекулярные носители, в частности пептидные структуры и структуры молекулярной электроники с использованием нуклеиновых кислот. Разработаны теоретические основы построения запоминающих устройств с сверхвысокой плотностью записи информации на основе методов твердотельной электроники, представленных в виде методик, моделей, методов и технологических процессов. Разработанные методы, модели и методики разработки запоминающих элементов и устройств с сверхвысокой плотностью записи информации могут быть использованы при отработке технологических процессов по изготовлению указанных элементов и устройств. Разработана технология и усовершенствованы методы расчетов режимов оборудования при изготовлении наноструктур, которые дают возможность разрабатывать и изготовлять основные элементы для запоминающих устройств, в частности для наномедицины, а именно для наносенсоров, молекулярных сенсоров и нанороботов. Предложенный метод создания памяти со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования запоминающих матриц мемристорних наноэлектронных структур, сопротивление которых изменяется при проведении записи и стирания информации и могут быть использованы в создании нейрона, когда предыстория функционирования мемристорной наноструктуры определяет ее ответную реакцию. Предложенный метод создания запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации с применением оптической молекулярной нанопамяти на основе органической молекулярной запоминающей среды и молекулярной инженерии фотопереключаючих молекулярных устройств. Реализовано высокую устойчивость носителя информации для записывающего слоя и для раствора, используемого при изготовлении записывающего слоя, а также обеспечивается необходимая величина фотоиндуцированного изменения показателя преломления фотохромных соединений для надежного недеструктивного считывания оптической информации. Разработан метод создания запоминающих структур и устройств со сверхвысокой плотностью записи информации с применением принципов обработки информации в наноэлектронных и молекулярных системах нейронов и их ядерных компонентах. Разработчики нанотехнологических систем могут использовать сложные процессы обработки информации в биосистемах для создания новых технологий в молекулярной электронике и нанотехнологиях. Анализ информационных процессов в живой клетке дает возможность быстро находить новые технические решения, пользуясь уже созданными природой рецептами и компонентами.uk
dc.description.abstractukДисертаційна робота присвячена вирішенню науково-прикладної проблеми побудови запам’ятовуючих пристроїв з використанням нано- і молекулярних технологій шляхом розробки нового класу запам'ятовуючих пристроїв із надвисокою щільністю запису інформації на основі методів та моделей нових та вдосконалених існуючих методів твердотільної електроніки. Розроблено методи побудови запам'ятовуючих пристроїв з використанням скануючої тунельної літографії, локального зондового окислення із застосування атомно-силової літографії, технологій створення мемристорних наноелектронних структур та на основі запису інформації на молекулярні носії, зокрема пептидні структури та структури молекулярної електроніки з використанням нуклеїнових кислот. Розроблені методи, моделі та методики розробки запам'ятовуючих елементів та пристроїв із надвисокою щільністю запису інформації можуть бути використані при відпрацюванні технологічних процесів по їх виготовленню. Нові наукові та технологічні рішення забезпечують збільшення щільності запису інформації на 1–2 порядки при створенні запам’ятовуючих структур та пристроїв на їх основі.uk
dc.format.page51 с.uk
dc.identifier.citationХодаковський, М. І. Методи та моделі побудови запам'ятовуючих пристроїв з використанням нано- і молекулярних технологій : автореф. дис. … д-ра техн. наук. : 05.27.01 – твердотільна електроніка / Ходаковський Микола Іванович. – Київ, 2019. – 51 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/29190
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectзапам'ятовуючі пристрої із надвисокою щільністю запису інформаціїuk
dc.subjectнанотехнологіїuk
dc.subjectмолекулярні технологіїuk
dc.subjectмемристорні наноелектронні структуриuk
dc.subjectоптична нанопам’ятьuk
dc.subjectзапис інформації на полімерні органічні носіїuk
dc.subjectstorage devices with ultrahigh density recording informationuk
dc.subjectnanotechnologyuk
dc.subjectmolecular technologiesuk
dc.subjectmemristor nanoelectronic structuresuk
dc.subjectoptical nanomemoryuk
dc.subjectrecording of information on polymeric organic carriersuk
dc.subjectзапоминающие устройства с сверхвысокой плотностью записи информацииuk
dc.subjectнанотехнологииuk
dc.subjectмолекулярные технологииuk
dc.subjectмемристорные наноэлектронные структурыuk
dc.subjectоптическая нанопамятьuk
dc.subjectзапись информации на полимерные органические носителиuk
dc.subject.udc004.921.4: 621.387uk
dc.titleМетоди та моделі побудови запам'ятовуючих пристроїв з використанням нано- і молекулярних технологійuk
dc.typeThesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Khodakovskyi_aref.pdf
Розмір:
1.75 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Автореферати (вільний доступ)