Дослідження впливу мольного складу на рухливість електронів в арсеніді алюмінію-галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСаурова, T. А.
dc.contributor.authorШпиченко, В. С.
dc.date.accessioned2024-03-08T12:39:26Z
dc.date.available2024-03-08T12:39:26Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractВдосконалення технології вирощування багатокомпонентних напівпровідників та дослідження потенційних можливостей їх застосування сприяють розробці напівпровідникових приладів з покращеними характеристиками. Арсенід алюмінію-галію є перспективним трикомпонентним напівпровідником з точки зору відповідності кристалічних ґраток, що викликало всебічне дослідження матеріалу з метою створення на його основі високоефективних електронних та оптоелектронних приладів. Прогнозування перспектив створення приладів на основі тих чи інших матеріалів вимагає ґрунтовного знання насамперед їх електричних властивостей. Зазначимо, що у науково-технічній літературі недостатньо розкрито можливості моделювання рухливості електронів в арсеніді алюмінію-галію. Метою роботи є моделювання залежності рухливості електронів твердого розчину AlxGa1–xAs від мольного складу х. Моделювання проведено методом релаксаційних рівнянь; на основі тридолинної моделі зони провідності. Наведена методика та проведено чисельний експеримент з визначення залежності рухливості носіїв заряду від мольного складу х твердого розчину. Звертається увага на особливість моделювання процесів міждолинного нееквівалентного розсіювання, що відповідає суттєвому зближенню енергетичних долин один до одного. Отримано модельну залежність холівської рухливості електронів в AlxGa1–xAs у повному діапазоні значень мольного складу та зіставлено її з експериментальними результатами. Наведені додаткові результати моделювання, що сприяють розумінню процесів, які призводять до появи специфічної особливості залежності рухливості електронів від мольного складу AlxGa1–xAs. Визначено набір вихідних параметрів моделювання, який забезпечує хорошу відповідність до експериментальних результатів, розглянутих у роботі. Отримані результати чисельного моделювання відкривають можливості до додаткових досліджень властивостей арсеніду алюмінію-галію. Запропоновано методику моделювання залежності рухливості носіїв заряду від мольного складу для трикомпонентних твердих розчинів.
dc.description.abstractotherImprovement in the technology of growing multicomponent semiconductors and the study of their potential applications contribute to the development of semiconductor devices with improved characteristics. Aluminum gallium arsenide is a promising three-component semiconductor in terms of crystal lattice matching, which caused a comprehensive study of the material in order to create high-performance electronic and optoelectronic devices on its basis. Predicting the prospects for creating devices based on certain materials requires a thorough knowledge, first of all, of their electrical properties. It should be noted that the possibilities of modeling the mobility of electrons in aluminum-gallium arsenide are not sufficiently disclosed in the scientific and technical literature. The aim of this work is to simulate the dependence of the electron mobility of the AlxGa1-xAs solid solution on the molar composition x. The simulation was carried out by the method of relaxation equations; based on the three-valley model of the conduction band. A technique is presented and a numerical experiment is carried out to determine the dependence of the mobility of charge carriers on the molar composition x of the solid solution. Attention is drawn to the peculiarity of modeling the processes of intervalley nonequivalent scattering, which corresponds to a significant convergence of energy valleys to each other. A model dependence of the Hall electron mobility in AlxGa1-xAs is obtained in the full range of molar composition values and compared with experimental results. Additional simulation results are presented that contribute to the understanding of the processes leading to the appearance of a specific feature of the dependence of the electron mobility on the molar composition of AlxGa1-xAs. A set of initial modeling parameters is determined, which provides good agreement with the experimental results considered in the work. The obtained results of numerical simulation open up opportunities for additional studies of the properties of aluminum-gallium arsenide. A technique for modeling the dependence of charge carrier mobility on the molar composition for three-component solid solutions is proposed.
dc.format.pagerangeС. 60-65
dc.identifier.citationСаурова, T. А. Дослідження впливу мольного складу на рухливість електронів в арсеніді алюмінію-галію / Саурова T. А., Шпиченко В. С. // Вісник КПІ. Серія Приладобудування : збірник наукових праць. – 2023. – Вип. 66(2). – С. 60-65. – Бібліогр.: 14 назв.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/65360
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.relation.ispartofВісник КПІ. Серія Приладобудування : збірник наукових праць, 2023, Вип. 66(2)
dc.subjectAlGaAs
dc.subjectарсенід алюмінію-галію
dc.subjectрухливість електронів
dc.subjectмольний склад
dc.subjectметод релаксаційних рівнянь
dc.subjectaluminum gallium arsenide
dc.subjectelectron mobility
dc.subjectmolar composition
dc.subjectmethod of relaxation equations
dc.subject.udc621.382.3
dc.titleДослідження впливу мольного складу на рухливість електронів в арсеніді алюмінію-галію
dc.title.alternativeResearch of influence of molar composition on electron mobility in aluminum-gallium arsenide
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
P.60-65.pdf
Розмір:
908.16 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник КПІ. Серія Приладобудування: збірник наукових праць, Вип. 66(2)