Фоточутливі структури з пористим кремнієм
dc.contributor.author | Білик, Т. Ю. | |
dc.contributor.author | Шкарніков, С. С. | |
dc.date.accessioned | 2013-08-06T12:56:45Z | |
dc.date.available | 2013-08-06T12:56:45Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.description.abstracten | The samples covered with porous silicon layer, achieved by the method of chemical etching, were investigated in this article. The spectral dependences of photosensitivity of the Al/porous-Si contact were achieved and compared with similar dependence for Al/c-Si contact. The analysis of achieved results have shown that photosensitivity in case of the samples of silicon layer is higher by a factor of ten and shortwave “tail” is observed on the spectral dependence. Integrated photosensitivity of the contact grows with increase of etching duration,until in approximately 1.5 minutes of etching it reaches saturation. | uk |
dc.description.abstractuk | Були досліджені пластини з шаром пористого кремнію, отримані методом хімічного травлення. З використанням монохроматора були отримані спектральні залежності фоточутливості контакту Al/пористий кремній та порівняні з аналогічною залежністю для контакту Al/c-Si. Аналіз отриманих даних показав, що фоточутливість у випадку з шаром пористого кремнію на порядок вища та на спектральній залежності спостерігається короткохвильовий «хвіст». Інтегральна фоточутливість контакту росте зі збільшенням тривалості травлення, поки не досягає насичення при часі травлення приблизно в 1,5 хвилини. | uk |
dc.format.pagerange | С. 11-13 | uk |
dc.identifier.citation | Білик Т. Ю. Фоточутливі структури з пористим кремнієм / Т. Ю. Білик, С. С. Шкарніков // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2012. – № 4(69). – С. 11–13. – Бібліогр.: 5 назв. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/3406 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | НТУУ "КПИ" | uk |
dc.publisher.place | Киев | uk |
dc.source | Электроника и связь: научно-технический журнал | ru |
dc.source.name | Электроника и связь: научно-технический журнал | uk |
dc.status.pub | published | uk |
dc.subject | пористий кремній | uk |
dc.subject | хімічне травлення | uk |
dc.subject | фоточутливість | uk |
dc.subject.udc | 621.383 | uk |
dc.title | Фоточутливі структури з пористим кремнієм | uk |
dc.type | Article | uk |
thesis.degree.level | - | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: